[发明专利]智能功率模块、智能功率模块的制备方法和电力电子设备

权利要求书

1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：

导电组件层，设有电路布线和多个器件引脚部，所述电路布线用于连通所述多个器件引脚部；

多个MOSFET功率器件，多个所述MOSFET功率器件的底侧面焊接于所述器件引脚部的顶侧面；

栅极驱动器件，设于每个所述MOSFET功率器件的顶侧面；

封装外壳，完全包覆于所述电路布线、所述MOSFET功率器件和所述栅极驱动器件，

其中，所述器件引脚部自所述封装外壳的内侧向外侧伸出，所述MOSFET功率器件、所述电路布线和所述栅极驱动器件中的任两个之间通过邦定线连接。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述MOSFET功率器件包括：

MOSFET管；

体二极管，串联连接于所述MOSFET管的源极和漏极之间。

3.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：

焊接层，设于所述器件引脚部和所述MOSFET功率器件之间。

4.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：

绝缘层，设于所述栅极驱动器件和所述MOSFET功率器件之间。

5.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，

所述绝缘层内掺杂有散热颗粒，所述散热颗粒的形状包括球形和角型。

6.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：

合金层，设于所述引脚的表层，所述合金层的厚度范围为0.1～10微米。

7.根据权利要求6所述的智能功率模块，其特征在于，

所述合金层的厚度为5微米。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的智能功率模块，其特征在于，

所述邦定线包括第一邦定线，所述第一邦定线用于将所述MOSFET功率器件桥接至所述电路布线，

其中，所述第一邦定线的线宽范围为350～400微米。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的智能功率模块，其特征在于，

所述邦定线还包括第二邦定线，所述第二邦定线用于将所述栅极驱动器件桥接至所述电路布线，

其中，所述第二邦定线的线宽范围为38～200微米。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的智能功率模块，其特征在于，

所述电路布线的厚度为0.0175毫米或0.035毫米或0.07毫米。

11.一种智能功率模块的制备方法，其特征在于，包括：

形成电路布线，同时形成器件引脚部；

对所述电路布线和所述器件引脚部进行第一次封装，形成封装基板，所述电路布线的顶侧面和底侧面，以及所述器件引脚部的顶侧面和底侧面均伸出于所述封装基板之外；

在形成所述封装层后，在所述器件引脚部的顶侧面焊接MOSFET功率器件；

在所述MOSFET功率器件的顶侧面依次形成绝缘层和栅极驱动器件；

在所述栅极驱动器件和所述电路布线之间形成邦定线以桥接；

对形成有所述MOSFET功率器件、所述绝缘层、所述栅极驱动器件和所述邦定线的封装基板进行第二次封装，以形成封装外壳，

其中，所述封装外壳完全包覆于所述电路布线、所述MOSFET功率器件和所述栅极驱动器件，所述器件引脚部自所述封装外壳的内侧向外侧伸出。

12.根据权利要求11所述的智能功率模块的制备方法，其特征在于，形成电路布线，同时形成器件引脚部，具体包括以下步骤：

采用冲压工艺或刻蚀工艺形成所述电路布线和所述器件引脚部。

13.根据权利要求11所述的智能功率模块的制备方法，其特征在于，在形成所述封装层后，在所述器件引脚部的顶侧面焊接MOSFET功率器件，具体包括以下步骤：

在形成所述封装层后，采用锡膏印刷机在所述器件引脚部的顶侧面形成焊接层；

将所述MOSFET功率器件通过所述焊接层组装至所述器件引脚部的顶侧面。