[发明专利]三维电路及其制造方法

权利要求书

1.一种三维电路，其特征在于，包括：

多层电路，具有配置在一组包括W个构件的层L(i)中的电路元件，其中i从1至W，该多层电路包括具有周边和一组包括N个构件的接触区域的多层区域，该组接触区域中的这些接触区域围绕配置于该多层区域的该周边；以及

该组接触区域中的各接触区域包括在该多层电路的多达M个层中的电路元件上的着陆区，其中这些接触区域的第一子集包括在最上层L(i)上的着陆区，其中i从W-M+1至W，且这些接触区域的第二子集包括在层L(i)上的着陆区，其中i从W-M+1-S1至W-S1，S1为第一次阶段掩模刻蚀的层数。

2.根据权利要求1所述的三维电路，其特征在于，这些接触区域的第三子集包括在层L(i)的着陆区，其中i从W-M+1-S1-S2至W-S1-S2，S2为第二次阶段掩模刻蚀的层数。

3.根据权利要求1所述的三维电路，其特征在于，在该组接触区域中的这些接触区域中，这些层中的这些电路元件包括在导电材料层以及绝缘材料层中的导体，更包括：

介电填充于这些着陆区上；

接触开口穿过该介电填充向下至这些着陆区；以及

层间连接介于这些接触开口中。

4.根据权利要求1所述的三维电路，其特征在于，这些着陆区在正交于该组接触区域中的各接触区域中的该周边的方向上连续地成梯级至下层。

5.根据权利要求1所述的三维电路，其特征在于，该组接触区域的这些构件配置在该多层区域的该周边的对应侧边上，且具有正交于这些对应侧边的相同宽度尺寸。

6.根据权利要求1所述的三维电路，其特征在于，该多层区域包括仅有位于该多层电路中的电路元件和这些接触区域之间的导体的过渡区域，以及该周边是在该过渡区域中且包括两侧边，且该组接触区域中的接触区域具有配置在各该两侧边上的该周边上的侧边。

7.一种三维电路的制造方法，其特征在于，包括：

形成具有配置在一组包括W个构件的层中的电路元件的多层电路，该多层电路包括具有周边和一组包括N个构件的接触区域的多层区域，该组接触区域中的这些接触区域配置在该多层区域的该周边上；

进行刻蚀-修整工艺以在该组接触区域的各这些N个构件中形成M个梯级，其中该刻蚀-修整工艺至少包括一刻蚀-修整循环，且该刻蚀-修整循环包括形成暴露部分的该组接触区域的刻蚀-修整掩模，以及使用该刻蚀-修整掩模反复地刻蚀该组层的一层，接着反复多次地修整在该组接触区域中的该刻蚀-修整掩模以及使用该经修整的刻蚀-修整掩模再刻蚀一层；以及

形成暴露该组接触区域的子集且覆盖该多层区域以及该组接触区域中的全部其他接触区域的阶段掩模，且使用该阶段掩模刻蚀S1个层，其中该子集包括少于N个构件的该组接触区域，借此在该组层中的S1+M个层中的电路元件上形成着陆区在该组接触区域中，且其中着陆区在不超过M个层上形成在该组接触区域中的一接触区域中。

8.根据权利要求7所述的三维电路的制造方法，其特征在于，更包括：

形成暴露该组接触区域的第二子集且覆盖该多层区域以及该组接触区域中的全部其他接触区域的第二阶段掩模，且使用该第二阶段掩模刻蚀S2个层，其中该第二子集和该第一提及的子集非相同的组，且至少相交于该组接触区域的这些N个构件之一，

借此在该组层中的S1+S2+M个层中的电路元件上形成着陆区在该组接触区域中。

9.根据权利要求7所述的三维电路的制造方法，其特征在于，在该组接触区域中的这些接触区域中，这些层包括导电材料层和绝缘材料层，更包括：

这些着陆区形成之后，施行介电填充于这些着陆区上；

产生接触开口穿过该介电填充向下至这些着陆区；以及

形成层间连接件于这些接触开口中。

10.根据权利要求7所述的三维电路的制造方法，其特征在于，该形成多层电路包括在各这些层中形成绝缘材料层和牺牲材料层，以及在各这些层中以导体材料取代至少部分的该牺牲材料；

施行介电填充于这些着陆区上于该取代之后；

产生接触开口穿过该介电填充向下至这些着陆区中的导电材料；以及

形成层间连接件于这些接触开口中。