[发明专利]一种红外探测器

权利要求书

1.红外探测器，包括基体以及短波红外光敏芯片、中波红外光敏芯片，其特征在于：还包括芯片支架，所述中波红外光敏芯片设置于基体上，所述短波红外光敏芯片通过芯片支架设置于所述中波红外光敏芯片的上方，且所述短波红外光敏芯片的感光区域与中波红外光敏芯片的感光区域在上下方向上重叠；所述短波红外光敏芯片和中波红外光敏芯片均为长方形片状结构，两个芯片呈十字交叉上下间隔设置；处于上方的短波红外光敏芯片的两个电极设置于短波红外光敏芯片的两端，处于下方的中波红外光敏芯片的两个电极设置于中波光敏芯片的同一端；所述短波红外光敏芯片的感光区域的面积大于中波红外光敏芯片的感光区域的面积。

2.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于：所述芯片支架的材质为陶瓷。

3.根据权利要求1或2所述的红外探测器，其特征在于：所述短波红外光敏芯片的上侧面和/或下侧面上覆盖有红外增透膜。

4.根据权利要求1或2所述的红外探测器，其特征在于：所述中波红外光敏芯片的上表面上覆盖有红外滤光膜。

5.根据权利要求1或2所述的红外探测器，其特征在于：还包括通过窗口支架设置于短波红外光敏芯片上方的滤光片。

6.根据权利要求5所述的红外探测器，其特征在于：所述滤光片的材质为石英。

7.根据权利要求5所述的红外探测器，其特征在于：所述窗口支架为圆环形的陶瓷支架，所述短波红外光敏芯片和中波红外光敏芯片均处于所述陶瓷支架的内部。

8.根据权利要求1或2所述的红外探测器，其特征在于：所述短波红外光敏芯片的感光材质为InAs/GaSb二类超晶格，所述中波红外光敏芯片的感光材质为InAlSb。