[发明专利]一种三维封装电路中金丝键合的电容补偿及其设计方法

权利要求书

1. 一种三维封装电路中金丝键合的电容补偿，包括微波多层电路介质基板，所述微波多层电路介质基板表面第一层传输线上设有第一电容补偿结构，其特征在于，所述微波多层电路介质基板垂直方向上中间层传输线上设有第二电容补偿结构，第一层传输线之间通过金丝键合线(F301)连接；所述第二电容补偿结构对金丝键合线产生寄生电感效应；所述的微波多层电路介质基板是由2层微波介质基板层压而成，包含有3层金属，基板的介电常数为2.2，损耗角正切为0.0009，所述每层微波介质基板的基板厚度是0.254 mm,所述微波介质的型号为Rogers 5880。

2.根据权利要求1所述的三维封装电路中金丝键合的电容补偿，其特征在于，所述第一层传输线为两根50欧姆的第一传输线(F101)与第二传输线(F102)且之间有缝隙，所述金丝键合线(F301)连接第一传输线(F101)与第二传输线(F102)。

3.根据权利要求1或2所述的三维封装电路中金丝键合的电容补偿，其特征在于，所述的金丝键合线(F301)数目为2根。

4.根据权利要求2所述的三维封装电路中金丝键合的电容补偿，其特征在于，所述的50欧姆的第一传输线(F101)与第二传输线(F102)都采用50欧姆微带线形式，并与SMA同轴接头匹配。

5.根据权利要求1、2或4任一所述的三维封装电路中金丝键合的电容补偿，其特征在于，所述微波多层电路介质基板表面第一层传输线上的第一电容补偿结构为第一金属焊盘(F201)、第二金属焊盘(F202)、第三金属焊盘(F203)与第四金属焊盘(F204)，所述第一金属焊盘(F201)与第二金属焊盘(F202)位于在第一传输线(F101)上通过金丝键合线(F301)互连的一侧两端，所述第三金属焊盘(F203)与第四金属焊盘(F204)位于在第二传输线(F102)上通过金丝键合线(F301)互连的一侧两端。

6.根据权利要求5所述的三维封装电路中金丝键合的电容补偿，其特征在于，所述微波多层电路介质基板垂直方向上中间层传输线上的第二电容补偿结构为与第一传输线(F101)相同宽度和长度的第三传输线(S101)，与第二传输线(F102)相同宽度和长度的第四传输线(S102)。

7.根据权利要求6所述的三维封装电路中金丝键合的电容补偿，其特征在于，所述第三传输线(S101)位于在第一传输线(F101)上通过金丝键合线(F301)互连的一侧，在第一金属焊盘(F201)、第二金属焊盘(F202)和第一传输线(F101)的下方；所述第四传输线(S102)位于在第二传输线(F102)上通过金丝键合线(F301)互连的一侧，在第三金属焊盘(F203)、第四金属焊盘(F204)和第二传输线（F102）的下方。

8.根据权利要求1-7任一所述的三维封装电路中金丝键合的电容补偿的设计方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤A：在表面第一层传输线上设计第一电容补偿结构；

步骤B：在垂直方向上中间层传输线上，设计第二电容补偿结构。

9.根据权利要求8所述的三维封装电路中金丝键合的电容补偿的设计方法，其特征在于，

所述步骤A包括如下步骤：

（1）在第一传输线（F101）上通过金丝键合线（F301）互连的一侧，设计第一金属焊盘（F201）和第二金属焊盘（F202）；

（2）在第二传输线（F102）上通过金丝键合线（F301）互连的一侧，设计第三金属焊盘（F203）和第四金属焊盘（F204）；

所述步骤B包括如下步骤：

（1）在第一传输线（F101）上通过金丝键合线（F301）互连的一侧，在第一金属焊盘（F201）、第二金属焊盘（F202）和第一传输线（F101）的下方设计相同宽度和长度的第三传输线（S101）；

（2）在第二传输线（F102）上通过金丝键合线（F301）互连的一侧，在第三金属焊盘（F203）、第四金属焊盘（F204）和第二传输线（F102）的下方设计相同宽度和长度的第四传输线（S102）。