[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置有效
申请号: | 201710156711.1 | 申请日: | 2017-03-16 |
公开(公告)号: | CN106783895B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 许喜爱;刘冰萍;周秀峰;蔡寿金 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示装置,该阵列基板包括以矩阵方式排布的像素单元组成的像素阵列,多条沿像素阵列的横向延伸的栅极线;相邻两列像素单元之间设置有一个走线区,走线区的类型包括第一走线区、第二走线区和第三走线区,每个第一走线区设置有一条数据线;每个第二走线区设置至多一条栅极输出线,与对应的所述栅极线连接;每个第三走线区设置两条数据线,这两条数据线位于不同的薄膜层,且这两条数据线之间在沿像素阵列的横向上的距离小于或等于0。本发明提供的阵列基板可以增加栅极输出线和数据线之间的距离,降低了数据线上的电压耦合,解决了亮点问题;同时减小了两条数据线之间的距离,能够减弱对画面品质效果的影响。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种阵列基板、此阵列基板的制造方法和具有此阵列基板的显示装置。
背景技术
具有薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的显示装置目前逐渐成为主流的显示设备,此类显示装置上的每个像素点由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动。具体地,此类显示装置的阵列基板又称TFT基板,包括像素阵列,用于驱动和控制像素阵列中各像素点的栅极线、数据线和栅极输出线。
现有技术中,阵列基板的栅极线通常沿像素阵列行的方向设置,数据线和栅极输出线通常沿像素阵列列的方向设置,金属线的布线图如图1所示,数据线由上到下用M2走线连接且在行的方向上等间距分布,栅极输出线由上到下用M3走线连接,并通过过孔与相应的栅极线M1导通。该种布线方式栅极输出线M3贯穿基板,并且与数据线M2重叠。采用该种布线方式的阵列基板的显示装置,在显示过程中,当gate关闭时,与栅极输出线M3重叠的数据线M2为floating状态,受此影响,该数据线M2上会有很大的耦合电容,拉高该数据线与com电极的压差,使该数据线M2控制的像素亮度增加,产生亮点。由于每个接入点都存在这个问题,因而显示装置会存在与过孔位置相关的对角亮线。
为了解决由于栅极输出线M3与数据线M2重叠所产生的上述问题,在一种改进技术中,改变了图1所示的数据线M2的设置方式,具体为:在阵列基本列的方向上且相邻两列像素单元之间设置第一走线区或第二走线区,其中,第一走线区走一对数据线M2,另一种走线区走一条栅极输出线M3,使数据线与栅极输出线置于不同的走线区,从而避免栅极输出线M3与数据线M2重叠,解决了上述亮点问题。
但是,发明人研究发现,该种设置方式尽管解决了上述亮点问题,然而,将两条数据线设置在同一走线区,处于同一层且相互并列的两条数据线之间必然需要的一定的间隔,该间隔无疑会占用原本属于像素单元的面积,减小面积的像素单元与正常像素单元相比,在亮度上会发暗,因而,上述现有技术中的改进方式实际上带来了影响画面品质的新问题。
因此,提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置,能够解决上述亮点问题的同时,又减弱对画面品质效果的影响,是本领域亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种阵列基板及其制造方法和显示装置,既解决了上述亮点问题,又能减弱对画面品质效果的影响。
为了解决上述技术问题,本发明提出一种阵列基板,包括:
像素阵列,所述像素阵列包括多个以矩阵方式排布的像素单元;多条沿所述像素阵列的横向延伸的栅极线;多条沿所述像素阵列的纵向延伸的数据线;和多条沿所述像素阵列的纵向延伸的栅极输出线,与对应的所述栅极线连接;
相邻两列像素单元之间设置有一个走线区,所述走线区的类型包括第一走线区、第二走线区和第三走线区,每个所述第一走线区设置有一条所述数据线,每个所述第二走线区设置至多一条所述栅极输出线,每个所述第三走线区设置两条所述数据线,所述两条数据线位于不同的薄膜层,所述两条数据线之间在沿所述像素阵列的横向上的距离小于或等于0。
进一步地,位于同一个所述第三走线区的所述两条数据线完全重叠设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的