[发明专利]半导体晶圆的清洗方法

说明书

本发明提供一种半导体晶圆的清洗方法，在依次采用碱性清洗液和酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗之前，先采用酸性预清洗液对所述半导体晶圆进行预清洗，由此可以预先轻微地去除金属污染，防止其后续与碱性清洗液作用结合产生微小聚集性凹陷，改善晶圆表面的平整度，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆的清洗方法。

背景技术

在现今的半导体集成电路工艺中，晶圆清洗是频繁且重要的步骤之一，其目的主要是用来清除晶片表面的残留物(Residue)和污染物(Contamination)，如微粒(Particle)、有机物(Organic)和无机物金属离子(Metal Ions)等，然而，目前的晶圆清洗方法会在晶圆表面产生微小的聚集性凹坑(cluster pits)，如图1所示，影响了整个半导体集成电路工艺的良率(Yield)、元件品质及可靠性。

因此，需要一种新的半导体晶圆的清洗方法，能够避免清洗后产生的晶圆表面凹坑缺陷，提高产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体晶圆的清洗方法，能够避免清洗后产生的晶圆表面凹坑缺陷，提高产品良率。

为解决上述问题，本发明提出一种半导体晶圆的清洗方法，包括以下步骤：

采用酸性预清洗液对所述半导体晶圆进行预清洗；

采用碱性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗；

采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗。

进一步的，所述酸性预清洗液的组成成分包括第一酸、第一氧化剂和水。

进一步的，所述第一酸为盐酸、氢氟酸、乙酸、硝酸和硫酸中的至少一种，所述第一氧化剂为双氧水或臭氧。

进一步的，所述第一酸为盐酸，所述第一氧化剂为双氧水，且盐酸、双氧水和水的摩尔浓度配比为1:1:6～1:2:8。

进一步的，所述酸性清洗液的组成成分包括第二酸、第二氧化剂和水。

进一步的，所述第二酸为盐酸、氢氟酸、乙酸、硝酸和硫酸中的至少一种，所述第二氧化剂为双氧水或臭氧。

进一步的，所述第二酸为盐酸，所述第二氧化剂为双氧水，且盐酸、双氧水和水的摩尔浓度配比为1:1:6～1:2:8。

进一步的，所述酸性清洗液与所述酸性预清洗液含有的组成成分相同，但各个组成成分的摩尔浓度配比不同。

进一步的，所述酸性清洗液的酸性强于所述酸性预清洗液。

进一步的，所述碱性清洗液包括氢氧化物、第三氧化剂和水。

进一步的，所述氢氧化物为氢氧化铵或氢氧化钾，所述第三氧化剂为双氧水或臭氧。

进一步的，所述氢氧化物为氢氧化铵，所述氧化剂为双氧水，且氢氧化铵、双氧水和水的摩尔浓度配比为1:1:5～1:2:7。

进一步的，在所述预清洗之后，且在所述采用碱性清洗液对半导体晶圆进行清洗之前，采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗。

进一步的，在所述采用碱性清洗液对半导体晶圆进行清洗之后，且在所述采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗之前，采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗。

进一步的，在所述采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗之后，采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗。