[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可减小透明导电层与有源层之间的寄生电容。所述阵列基板，包括：衬底、设置在所述衬底上的薄膜晶体管，还包括设置在所述薄膜晶体管远离所述衬底一侧的包括第一镂空部分的公共电极；所述薄膜晶体管的有源层包括源电极区、漏电极区和沟道区，所述第一镂空部分在所述衬底上的正投影至少覆盖所述沟道区在所述衬底上的正投影。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

近年来，随着各种显示技术，如LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)显示、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示、柔性显示、透明显示等的不断发展，采用大尺寸、高分辨率显示面板的产品层出不穷。

现有的显示面板包括阵列基板，如图1所示，阵列基板上包括设置在衬底10上的薄膜晶体管20和公共电极30，由于公共电极30在衬底10上的正投影覆盖薄膜晶体管20的有源层21在衬底10上的正投影，从而影响了有源层21上电子的迁移率，造成薄膜晶体管20阈值电压的稳定性变差，从而影响薄膜晶体管的性能。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可减小透明导电层与有源层之间的寄生电容。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种阵列基板，包括：衬底、设置在所述衬底上的薄膜晶体管，还包括设置在所述薄膜晶体管远离所述衬底一侧的包括第一镂空部分的公共电极；所述薄膜晶体管的有源层包括源电极区、漏电极区和沟道区，所述第一镂空部分在所述衬底上的正投影至少覆盖所述沟道区在所述衬底上的正投影。

优选的，所述第一镂空部分在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。

优选的，所述第一镂空部分在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层和所述薄膜晶体管的源电极在所述衬底上的正投影。

优选的，所述阵列基板还包括设置在所述薄膜晶体管和所述公共电极之间的包括第一过孔的绝缘层、以及依次设置在所述公共电极远离所述衬底一侧的包括第二过孔和第二镂空部分的钝化层和在所述衬底上的正投影与所述第一镂空部分在所述衬底上的正投影不重叠的像素电极；所述公共电极还包括第三过孔；所述第一镂空部分在所述衬底上的正投影与所述第二镂空部分在所述衬底上的正投影重叠；所述第一过孔在所述衬底上的正投影、所述第二过孔在所述衬底上的正投影和所述第三过孔在所述衬底上的正投影重叠，所述第三过孔的尺寸大于等于所述第一过孔尺寸，且大于所述第二过孔的尺寸；其中，所述像素电极通过所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔与所述薄膜晶体管的漏电极电连接。

第二方面，提供一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板。

第三方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上通过构图工艺形成薄膜晶体管；在形成有所述薄膜晶体管的衬底上，通过三次构图工艺形成包括第一过孔的绝缘层、包括第三过孔和第一镂空部分的公共电极、包括第二过孔和第二镂空部分的钝化层、以及在所述衬底上的正投影与所述第一镂空部分在所述衬底上的正投影不重叠的像素电极；所述绝缘层、所述公共电极、所述钝化层、以及所述像素电极依次位于所述薄膜晶体管远离所述衬底一侧；所述薄膜晶体管的有源层包括源电极区、漏电极区和沟道区，所述第一镂空部分在所述衬底上的正投影至少覆盖所述沟道区，所述第一镂空部分在所述衬底上的正投影与所述第二镂空部分在所述衬底上的正投影重叠；所述第一过孔在所述衬底上的正投影、所述第二过孔在所述衬底上的正投影和所述第三过孔在所述衬底上的正投影重叠，所述第三过孔的尺寸大于等于所述第一过孔尺寸，且大于所述第二过孔的尺寸；其中，所述像素电极通过所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔与所述薄膜晶体管的漏电极电连接。