[发明专利]一种基于硅转接板的双面扇出封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201710135399.8 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN106960825A 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 徐健 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 代理人: 李旦华
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 转接 双面 封装 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种基于硅转接板的双面扇出封装结构,其特征在于,包括:

从上到下依次封装且信号导通的芯片(1)、第一重布线层(2)和硅转接板(3),所述硅转接板(3)为预先经过封装的硅转接板(3),且所述封装结构具有通过所述第一重布线层(2)将所述芯片(1)的一部分信号直接输出的第一信号输出通道和通过所述硅转接板(3)将所述芯片(1)的另一部分信号输出的第二信号输出通道。

2.根据权利要求1所述的基于硅转接板的双面扇出封装结构,其特征在于,还包括与所述第一重布线层(2)相向设置、且与所述硅转接板(3)的下表面贴合设置的第二重布线层(4)。

3.根据权利要求2所述的基于硅转接板的双面扇出封装结构,其特征在于,所述硅转接板(3)的上表面和下表面上均预留有至少一个引脚,所述第一重布线层(2)和第二重布线层(4)贴合设置在所述引脚处。

4.根据权利要求3所述的基于硅转接板的双面扇出封装结构,其特征在于,还包括分别与所述第一重布线层(2)和第二重布线层(4)贴合设置的第一保护层(5)和第二保护层(6),且所述第一保护层(5)和第二保护层(6)上均预留有用于信号连接的通孔(51)。

5.根据权利要求4所述的基于硅转接板的双面扇出封装结构,其特征在于,所述第二保护层(6)的通孔(51)中安装有焊球(7)。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的基于硅转接板的双面扇出封装结构,其特征在于,所述芯片(1)通过金属凸点(8)或金属引线(9)与所述第一重布线层(2)信号导通。

7.一种基于硅转接板的双面扇出封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、对硅转接板(3)进行预封装,

S2、在预封装后的硅转接板(3)上表面设置第一重布线层(2),并使所述第一重布线层(2)与所述预封装后的硅转接板(3)的上表面信号引脚连接,

S3、将芯片(1)连接在所述第一重布线层(2)的表面形成信号回路,使得所述芯片(1)的一部分信号通过所述第一重布线层(2)直接输出,另一部分信号通过所述硅转接板(3)输出。

8.根据权利要求7所述的基于硅转接板的双面扇出封装方法,其特征在于,还包括步骤S4、在预封装后的硅转接板(3)的下表面设置第二重布线层(4);所述步骤S4位于步骤S1和步骤S2之间或者位于S2步骤之后。

9.根据权利要求8所述的基于硅转接板的双面扇出封装方法,其特征在于,还包括在步骤S2中在所述第一重布线层(2)上贴合设置第一保护层(5),并在所述第一保护层(5)上设置用于信号连接的通孔(51),和/或在步骤S4中在所述第二重布线层(4)上贴合设置第二保护层(6),并在所述第二保护层(6)上设置用于信号连接的通孔(51)。

10.根据权利要求7~9中任一项所述的基于硅转接板的双面扇出封装方法,其特征在于,还包括先将所述硅转接板(3)放置在基板上,然后对所述硅转接板(3)进行塑封,再对塑封后的硅转接板(3)进行打磨直至露出所述信号引脚。

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