[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710134239.1 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107767894B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 柳平康辅 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/04 | 分类号： | G11C7/04;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：
非易失性存储单元阵列；
第1电路，将存储在所述非易失性存储单元阵列中的数据输出至外部的控制器；及
第2电路，对所述第1电路执行校准；
所述第2电路是：
对所述非易失性存储单元阵列执行第1读出操作，并且在所述第1读出操作的忙碌状态时，获取所述第1电路的第1信息，
对所述第1电路执行校准，
对所述非易失性存储单元阵列执行第2读出操作，并且在所述第2读出操作的忙碌状态时，获取所述第1电路的第2信息，
将所述第1信息与所述第2信息进行比较，当其差为第1值以上时，对所述第1电路执行校准。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第1值是根据电源接通时所接收的第1命令而设定。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第1信息及所述第2信息是所述第1电路的温度信息。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第1信息及所述第2信息是施加至所述第1电路的电压信息。
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