[发明专利]光致抗蚀剂脱除组合物及利用其的电子元件的制造方法

说明书

本发明提供一种光致抗蚀剂脱除组合物，包括一有机溶剂，其结构如以下式I所示：其中，R₁为烷氧基或烷基，R₂、R₃、R₄、R₅、R₆为各自独立的氢或氢氧基，且n大于0；一胺化合物，其含量为10‑65重量百分比；以及水。

【技术领域】

本发明涉及一种光致抗蚀剂脱除组合物及一种利用该光致抗蚀剂脱除组合物进行微影制程的电子元件的制造方法。

【背景技术】

微影技术是目前常见于半导体和面板产业的制程技术，其主要制程包括利用沉积在一基板上形成金属或介电薄膜、光致抗蚀剂涂布、烘烤、曝光、显影、蚀刻、光致抗蚀剂脱除、清洗等。光致抗蚀剂的主要成分为有机化合物，在经过蚀刻过程的高能量等离子体轰击或者高温烘烤下，有机化合物容易因为碳化、干燥、胶化而导致无法在后续的光致抗蚀剂脱除程序中被脱除干净，进而影响后续的制程。

有鉴于此，一种可将光致抗蚀剂图案脱除干净的新颖的光致抗蚀剂脱除组合物，乃为业界所殷切期待。

【发明内容】

本发明的一个目的是提供一种光致抗蚀剂脱除组合物，包括有机溶剂，其结构如以下式I所示：

其中，R₁为烷氧基或烷基，R₂、R₃、R₄、R₅、R₆为各自独立的氢或氢氧基，且n大于0；胺化合物，其含量为10-65重量百分比；以及水。

本发明的另一目的是提供一种如上所述的光致抗蚀剂脱除组合物，且上述式(I)有机溶剂的含量为大于或等于5重量百分比。

本发明的另一目的是提供一种如上所述的光致抗蚀剂脱除组合物，且上述水的含量为小于或等于30重量百分比。

本发明的另一目的是提供一种如上所述的光致抗蚀剂脱除组合物，且上述胺化合物为伯胺或仲胺。

本发明的另一目的是提供一种如上所述的光致抗蚀剂脱除组合物，且上述胺化合物为一种醇胺化合物。

本发明的另一目的是提供一种如上所述的光致抗蚀剂脱除组合物，且上述醇胺化合物的含量为大于或等于45重量百分比。

本发明的另一目的是提供一种如上所述的光致抗蚀剂脱除组合物，且上述醇胺化合物是选自单乙醇胺(MEA)、N-甲基乙醇胺(NMEA)、异丁醇胺、二甲氨基乙氧基乙硫醇、二甲氨基乙氧基丙硫醇、二丙氨基乙氧基丁硫醇、二丁氨基乙氧基乙醇、二甲氨基乙氧基乙醇、二乙氨基乙氧基乙醇、二丙氨基乙氧基乙醇、N-(2-甲氧基乙醇)吗啉、N-(2-乙氧基乙醇)吗啉或N-(2-丁氧基乙醇)吗啉、1-氨基异丙醇(AIP)、2-氨基-1-丙醇、3-氨基-1-丙醇、2-(2-氨基乙氨基)-1-乙醇(2-(2-aminoethylamino)-1-ethanol)、二乙醇胺(diethanolamine，DEA)、及羟乙基哌嗪(hydroxyethylpiperazine，HEP)中的一种或其组合。

本发明的另一目的是提供一种如上所述的光致抗蚀剂脱除组合物，且上述R₁为C₂～C₆的烷氧基或C₁～C₆烷基，优选为亚乙氧基、亚丙氧基或亚甲基，R₂、R₃、R₄、R₅、R₆为各自独立的氢，且n介于1至4。另在本文中，对某一基团冠以“C_X”来描述时，表示该基团具有X个碳原子。

本发明的另一目的是提供一种如上所述的光致抗蚀剂脱除组合物，且还包括一种金属腐蚀抑制剂。