[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710119851.1 申请日: 2017-03-01
公开(公告)号: CN107230642B 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 金井直之;浅井竜彦 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/29;C08K3/32;C08L63/00
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;王艳春
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,所述半导体装置具有层叠基板和密封材料,其中,所述层叠基板上安装有半导体元件,所述密封材料包括环氧树脂主剂、硬化剂和膦酸,其中,

所述膦酸含有至少一个膦酰基-P(=O)(OH)2并且含有氨基和/或羧基,以及

所述膦酸以对100质量份的所述环氧树脂主剂为0.01至1质量份的方式均匀地混合在所述密封材料中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,所述半导体装置还包括树脂外壳。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,所述树脂外壳是经过表面处理的树脂外壳。

4.根据权利要求 2所述的半导体装置,所述树脂外壳包括聚苯硫醚树脂。

5.根据权利要求2所述的半导体装置,所述树脂外壳的表面上形成有膦酸层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,所述环氧树脂主剂是脂环族环氧树脂和/或脂肪族环氧树脂。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,所述环氧树脂主剂是脂肪族环氧树脂。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置,所述密封材料还包括无机填料,并且/或者所述硬化剂是酸酐类硬化剂。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置,所述半导体元件包括Si半导体元件、SiC半导体元件和GaN半导体元件中的任一个。

10.一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤:

将半导体元件安装到层叠基板上;

在包括所述层叠基板和所述半导体元件的部件的表面上形成膦酸层;以及

使包括环氧树脂主剂和硬化剂的环氧树脂组合物接触所述膦酸层。

11.一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤:

将半导体元件安装到层叠基板上;

在安装有所述半导体元件的层叠基板处设置外壳;

至少在所述外壳的表面上形成膦酸层;以及

使包括环氧树脂主剂和硬化剂的环氧树脂组合物接触所述膦酸层。

12.根据权利要求11所述的制造方法,还包括:在形成所述膦酸层之前,对所述外壳的表面执行表面处理。

13.一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤:

将半导体元件安装到层叠基板上;以及

用密封材料密封包括所述层叠基板和所述半导体元件的部件,其中,所述密封材料包括环氧树脂主剂、硬化剂和膦酸,所述膦酸含有至少一个膦酰基-P(=O)(OH)2并且含有氨基和/或羧基,

所述膦酸以对100质量份的所述环氧树脂主剂为0.01至1质量份的方式被包括。

14.根据权利要求13所述的方法,还包括在安装有所述半导体元件的层叠基板处设置外壳。

15.一种用于密封电子装置的树脂组合物,包括环氧树脂、硬化剂和膦酸,所述膦酸含有至少一个膦酰基-P(=O)(OH)2并且含有氨基和/或羧基,

所述膦酸以对100质量份的所述环氧树脂主剂为0.01至1质量份的方式被包括。

16.一种电子装置,所述电子装置由权利要求15所述的树脂组合物密封。

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