[发明专利]掩模和使用该掩模形成的半导体装置的金属布线

说明书

提供了一种掩模和一种半导体装置的金属布线。所述掩模包括：掩模基底，包括单元曝光区域和外围曝光区域，单元曝光区域构造为使半导体装置的单元区域中的金属层曝光，外围曝光区域构造为使半导体装置的外围区域中的金属层曝光，第一掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成信号金属图案，第二掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成虚设金属图案，第二掩模图案与第一掩模图案相邻，第二掩模图案具有与第一掩模图案的宽度基本相同的宽度。

技术领域

示例实施例涉及掩模和/或使用该掩模形成的半导体装置的金属布线。更具体地，示例实施例涉及用于在半导体装置的外围区域中形成金属布线的掩模，和/或使用该掩模形成的半导体装置的金属布线。

背景技术

通常，可使用掩模通过曝光工艺形成半导体装置的金属布线。金属布线可布置在半导体装置的单元区域和外围区域中。外围区域中的金属布线之间的节距可比单元区域中的金属布线之间的节距宽。另外，单元区域中的金属布线可具有均匀的间距。相反，外围区域中的金属布线可具有各种不同的间距。随着半导体装置的金属布线之间的节距变窄，已经使用离轴照明(off-axis illumination)的曝光工艺来形成节距窄的金属布线。

根据现有技术，离轴照明可具有与单元区域中的金属布线之间的节距对应的焦点。相反，离轴照明的焦点可不对应于外围区域中的金属布线之间的节距(或多种节距)。因此，使用离轴照明形成在外围区域中的金属布线可能不具有期望的形状或图案。例如，外围区域中的金属布线会具有比设计尺寸大的尺寸，从而被连接至相邻的金属布线。相反，外围区域中的金属布线会具有比设计尺寸小的尺寸，从而导致金属布线被切断。

发明内容

一些示例实施例提供一种掩模，所述掩模能够在外围区域中精确地形成具有设计尺寸的金属布线。

一些示例实施例还提供使用上述掩模的半导体装置的金属布线。

根据示例实施例，掩模包括：掩模基底，包括单元曝光区域和外围曝光区域，单元曝光区域构造为使半导体装置的单元区域中的金属层曝光，外围曝光区域构造为使半导体装置的外围区域中的金属层曝光，第一掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成信号金属图案，第二掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成虚设金属图案，第二掩模图案与第一掩模图案相邻，第二掩模图案具有与第一掩模图案的宽度基本相同的宽度。

在一些示例实施例中，第二掩模图案可具有沿直线与第一掩模图案的中心线重合的中心线。

在一些示例实施例中，掩模可包括第一掩模图案组，第一掩模图案组可包括布置在直线上的多个第一掩模图案，第二掩模图案可沿所述直线位于所述多个第一掩模图案之间，第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的一个第一掩模图案之间的距离可与第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的另一个第一掩模图案之间的距离基本相同。

在一些示例实施例中，所述多个第一掩模图案的中心线和第二掩模图案的中心线可沿所述直线彼此重合。

在一些示例实施例中，掩模可包括第一掩模图案组，第一掩模图案组可包括彼此平行的多个第一掩模图案，第二掩模图案可平行于所述多个第一掩模图案并位于所述多个第一掩模图案之间，第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的一个第一掩模图案之间的距离可与第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的另一个第一掩模图案之间的距离基本相同。

在一些示例实施例中，第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的所述一个第一掩模图案之间的距离可与单元曝光区域中相邻的掩模图案之间的距离基本相同。

在一些示例实施例中，所述多个第一掩模图案可具有不同的宽度，第二掩模图案可具有与所述多个第一掩模图案的宽度中的最短的宽度基本相同的宽度。