[发明专利]掩模和使用该掩模形成的半导体装置的金属布线

权利要求书

1.一种掩模，所述掩模包括：

掩模基底，包括单元曝光区域和外围曝光区域，单元曝光区域构造为使半导体装置的单元区域中的金属层曝光，外围曝光区域构造为使半导体装置的外围区域中的金属层曝光；

第一掩模图案，包括第一子掩模图案、第二子掩模图案和第三子掩模图案，第一子掩模图案、第二子掩模图案和第三子掩模图案被构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成第一信号金属图案、第二信号金属图案和第三信号金属图案，第一子掩模图案、第二子掩模图案和第三子掩模图案在第一方向上延展并且在与第一方向垂直的第二方向上布置；

第二掩模图案，构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成虚设金属图案，第二掩模图案在第一方向上与第二子掩模图案相邻且间隙位于第二掩模图案与第二子掩模图案之间，第二掩模图案在第二方向上位于第一子掩模图案与第三子掩模图案之间，并且第二子掩模图案具有与第二掩模图案的宽度基本相同的宽度，

其中，第一掩模图案和第二掩模图案包括开口，开口用于形成第一信号金属图案、第二信号金属图案、第三信号金属图案和虚设金属图案的光经过。

2.根据权利要求1所述的掩模，其中，第二掩模图案具有沿直线与第二子掩模图案的第二中心线重合的第一中心线。

3.根据权利要求1所述的掩模，还包括：

另一个第二子掩模图案，第二子掩模图案和所述另一个第二子掩模图案布置在直线上；

其中，第二掩模图案沿所述直线位于第二子掩模图案与所述另一个第二子掩模图案之间；并且

第二掩模图案和第二子掩模图案之间的第一距离与第二掩模图案和所述另一个第二子掩模图案之间的第二距离基本相同。

4.根据权利要求3所述的掩模，其中，沿第一方向的第二子掩模图案的第一中心线和所述另一个第二子掩模图案的第二中心线以及第二掩模图案的第三中心线沿在第一方向上的所述直线彼此重合。

5.根据权利要求1所述的掩模，其中：

第一子掩模图案、第二子掩模图案和第三子掩模图案在第一方向上延伸并且彼此平行；

第二掩模图案在第一方向上延伸并且在第二方向上位于第一子掩模图案与第三子掩模图案之间；并且

第二掩模图案和第一子掩模图案之间的第一距离与第二掩模图案和第三子掩模图案之间的第二距离基本相同。

6.根据权利要求5所述的掩模，其中，第一距离与单元曝光区域中的相邻掩模图案之间的第三距离基本相同。

7.根据权利要求5所述的掩模，其中，包括在第一掩模图案中的第一子掩模图案、第二子掩模图案和第三子掩模图案中的至少两者具有不同的宽度，第二掩模图案具有与所述不同的宽度中的最短的一个宽度基本相同的宽度。

8.根据权利要求5所述的掩模，还包括：

另一个第一掩模图案，包括另一个第一子掩模图案，另一个第二子掩模图案和另一个第三子掩模图案；

另一个第二掩模图案，平行于第二掩模图案，并且在所述另一个第一子掩模图案、所述另一个第二子掩模图案和所述另一个第三子掩模图案之间；

所述另一个第二掩模图案与所述另一个第一子掩模图案之间的第三距离与第一距离基本相同。

9.根据权利要求1所述的掩模，其中，第一子掩模图案和第三子掩模图案中的每者具有在第一方向上的横向长度，横向长度对应于第二掩模图案的第一长度、第二子掩模图案的第二长度以及位于第二掩模图案与第二子掩模图案之间的间隙的距离之总和。