[发明专利]基板处理装置及半导体器件的制造方法在审
申请号: | 201710114246.5 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN108155137A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 八幡橘;高崎唯史 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/687;H01J37/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 预真空 锁室 支承部 基板处理装置 基板 第一支承机构 半导体器件 搬运机构 支承机构 对基板 镊钳 搬运 方向正交 基板处理 反应器 受限 支承 制造 | ||
本发明提供一种基板处理装置及半导体器件的制造方法,其目的在于提供能够不受限于基板种类地进行基板处理的技术。基板处理装置具有:预真空锁室,其具有对基板进行支承的第一支承部和第二支承部;第一搬运机构,其具有从预真空锁室的一侧向预真空锁室的内外搬运基板的镊钳;第二搬运机构,其具有从预真空锁室的另一侧向预真空锁室的内外搬运基板的镊钳;以及反应器,其对基板进行处理,第一支承部具有第一支承机构,该第一支承机构在与臂的进入方向正交的那侧的宽度以第一宽度分离,所述第二支承部具有第二支承机构,该第二支承机构以比第一宽度小的第二宽度分离。
技术领域
本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序。
背景技术
作为在半导体器件的制造工序中使用的基板处理装置的一个方式,例如存在具有预真空锁(load lock)室的装置(例如专利文献1)。
专利文献1:日本特开2001-345279号公报
在半导体器件中使用了多种基板。例如存在直径为200mm的基板、直径为300mm的基板。为了对上述基板进行处理,以往开发了200mm基板专用的装置和300mm专用的装置。
随着近年来的IoT(Internet of Things:物联网)市场的扩张,期望多个品种的基板处理。然而,由于基板处理装置的占用面积(footprint)大、且价格昂贵,在筹备多个专用装置这一点上存在极限。
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供一种能够不受限于基板的种类地进行基板处理的技术。
根据本发明的一个方式,提供一种基板处理装置的技术,该基板处理装置具有:
预真空锁室,其具有对基板进行支承的第一支承部和第二支承部;
第一搬运机构,其具有从所述预真空锁室的一侧向所述预真空锁室的内外搬运所述基板的镊钳;
第二搬运机构,其具有从所述预真空锁室的另一侧向所述预真空锁室的内外搬运所述基板的镊钳;以及
反应器,其对所述基板进行处理,其中,
所述第一支承部具有第一支承机构,该第一支承机构在与所述臂的进入方向正交的那侧的宽度以第一宽度分离,
所述第二支承部具有第二支承机构,该第二支承机构以比所述第一宽度小的第二宽度分离。
发明效果
根据本发明,能够提供能够不受限于基板种类地进行基板处理的技术。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的基板处理装置的概要结构例的说明图。
图2是表示本发明的实施方式的基板处理装置的概要结构例的说明图。
图3是对本发明的实施方式的预真空锁室进行说明的说明图。
图4是对本发明的实施方式的预真空锁室进行说明的说明图。
图5是对本发明的实施方式的预真空锁室进行说明的说明图。
图6是对本发明的实施方式的RC进行说明的说明图。
图7是对本发明的实施方式的控制器进行说明的说明图。
图8是对本发明的实施方式的基板处理流程进行说明的说明图。
图9是对本发明的实施方式的预真空锁室进行说明的说明图。
图10是对比较例的预真空锁室进行说明的说明图。
图11是对比较例的预真空锁室进行说明的说明图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造