[发明专利]基板处理装置及半导体器件的制造方法在审

申请号：	201710114246.5	申请日：	2017-02-28
公开（公告）号：	CN108155137A	公开（公告）日：	2018-06-12
发明（设计）人：	八幡橘;高崎唯史	申请（专利权）人：	株式会社日立国际电气
主分类号：	H01L21/677	分类号：	H01L21/677;H01L21/687;H01J37/18
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	陈伟;闫剑平
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	预真空锁室支承部基板处理装置基板第一支承机构半导体器件搬运机构支承机构对基板镊钳搬运方向正交基板处理反应器受限支承制造
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【权利要求书】：

1.一种基板处理装置，其具有：

预真空锁室，其具有对基板进行支承的第一支承部和第二支承部；

第一搬运机构，其具有从所述预真空锁室的一侧向所述预真空锁室的内外搬运所述基板的镊钳；

第二搬运机构，其具有从所述预真空锁室的另一侧向所述预真空锁室的内外搬运所述基板的镊钳；以及

反应器，其对所述基板进行处理，

所述基板处理装置的特征在于，

所述第一支承部具有第一支承机构，该第一支承机构在与所述臂的进入方向正交的那侧的宽度以第一宽度分离，

所述第二支承部具有第二支承机构，该第二支承机构以比所述第一宽度小的第二宽度分离。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一支承机构与所述第二支承机构独立地构成。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一支承机构配置于最上方。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一支承机构和所述第二支承机构在高度方向上交替地配置为多层。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

若接收到向所述反应器搬入第一种类的基板的指示，则将所述第一种类的基板载置于所述第一支承机构，进而读出第一配方，并且若所述第一种类的基板被搬入至所述反应器，则进行所述第一配方的处理，若接收到向所述反应器搬入第二种类的基板的指示，则将所述第二种类的基板载置于所述第二支承机构，进而读出第二配方，并且若所述第二种类的基板被搬入至所述反应器，则进行所述第二配方的处理。

6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一支承机构和所述第二支承机构在高度方向上交替地配置为多层。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一支承机构配置于最上方。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一支承机构和所述第二支承机构在高度方向上交替地配置为多层。

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