[发明专利]SRAM存储器及其形成方法

说明书

一种SRAM存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底；形成传输晶体管，形成所述传输晶体管的方法包括：在所述基底上形成传输栅极结构，传输栅极结构底部的基底中具有沟道区，所述传输栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成第一应力层，第一应力层的底部表面至传输栅极结构的底部表面具有第一距离；在所述传输栅极结构第二侧的基底中形成第二应力层，第二应力层和第一应力层的材料相同，第二应力层的底部表面至传输栅极结构的底部表面具有第二距离，第二距离小于第一距离。所述方法使得SRAM存储器的电学性能得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种SRAM存储器及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，存储器呈现出高集成度、快速、低功耗的发展趋势。

从功能上将存储器分为随机存储器(RAM，Random Access Memory)和只读存储器(ROM，Read Only Memory)。随机存储器工作时，可以随时从任何一个指定的地址读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元。随机存储器的读写操作方便，使用灵活。

随机存储器可以分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。其中，静态随机存储器利用带有正反馈的触发器来实现存储数据，主要依靠持续的供电来保持数据的完整性。静态随机存储器在使用过程中不需要刷新。静态随机存储器已被广泛应用在计算机的高速缓存和频繁的数据处理中。

然而，现有技术中静态随机存储器的电学性能较差。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种SRAM存储器及其形成方法，以提高SRAM存储器的电学性能。

为解决上述问题，本发明提供一种SRAM存储器的形成方法，包括：提供基底；形成传输晶体管，形成所述传输晶体管的方法包括：在所述基底上形成传输栅极结构，传输栅极结构底部的基底中具有沟道区，所述传输栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成第一应力层，第一应力层的底部表面至传输栅极结构的底部表面具有第一距离；在所述传输栅极结构第二侧的基底中形成第二应力层，第二应力层和第一应力层的材料相同，第二应力层的底部表面至传输栅极结构的底部表面具有第二距离，第二距离小于第一距离。

可选的，当所述传输晶体管的类型为N型时，所述第一应力层和所述第二应力层对沟道区产生拉应力。

可选的，所述第一应力层和所述第二应力层的材料为掺磷的硅或者碳硅。

可选的，当所述传输晶体管的类型为P型时，所述第一应力层和所述第二应力层对沟道区产生压应力。

可选的，所述第一应力层和所述第二应力层的材料包括锗硅。

可选的，所述第一距离与所述第二距离的差值为10纳米～50纳米。

可选的，形成所述第一应力层的方法包括：在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成第一凹槽；在第一凹槽中外延生长第一应力层；形成所述第二应力层的方法包括：在所述传输栅极结构第二侧的基底中形成第二凹槽，第二凹槽的深度小于第一凹槽的深度；在第二凹槽中外延生长第二应力层。

可选的，形成所述第一凹槽和第二凹槽后，在外延生长所述第一应力层的同时外延生长所述第二应力层。

可选的，形成所述传输晶体管的方法还包括：在外延生长所述第一应力层的同时，在所述第一应力层中原位掺杂源漏离子，在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成第一源漏掺杂区；在外延生长所述第二应力层的同时，在所述第二应力层中原位掺杂源漏离子，在所述传输栅极结构第二侧的基底中形成第二源漏掺杂区；所述第一应力层位于所述第一源漏掺杂区中，所述第二应力层位于所述第二源漏掺杂区中。