[发明专利]稀土离子掺杂的钙钛矿型氧化物可见激光晶体

权利要求书

1.稀土离子掺杂的钙钛矿型氧化物可见激光晶体，其特征在于：以钙钛矿型氧化物GdScO₃或LaLuO₃为基质，以Pr³⁺、或Dy³⁺、或Sm³⁺、或Er³⁺为掺杂离子；当基质为GdScO₃时，掺杂离子为Pr³⁺、或Dy³⁺、或Sm³⁺、或Er³⁺，掺杂离子部分替代基质GdScO₃中Gd的格位，分子式可表示为RE_xGd_1-xScO₃，RE=Pr、或Dy、或Sm、或Er，x的取值范围为0.001~0.2；当基质为LaLuO₃时，掺杂离子为Pr³⁺、或Sm³⁺，掺杂离子部分取代基质LaLuO₃中La的格位，分子式表可表示为REʹ_xLa_1-xLuO₃，REʹ=Pr、或Sm，x的取值范围为0.001~0.2。

2.稀土离子掺杂的钙钛矿型氧化物可见激光晶体的单晶制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）、制备RE_xGd_1-xScO₃或REʹ_xLa_1-xLuO₃的多晶生长原料；

（2）、将步骤（1）制备的RE_xGd_1-xScO₃或REʹ_xLa_1-xLuO₃多晶生长原料经过100 MPa ~ 300 MPa的冷等静压后，再在空气气氛下的1000 ^oC ~ 1500 ^oC温度下烧结10小时~72小时，使RE_xGd_1-xScO₃或REʹ_xLa_1-xLuO₃多晶生长原料成为致密度较高的多晶原料块，用于晶体生长；

（3）、将步骤（2）制得的RE_xGd_1-xScO₃或REʹ_xLa_1-xLuO₃多晶原料块放入生长坩埚内，通过电阻或感应加热使多晶原料块充分熔化，获得晶体生长初始熔体；

（4）将步骤（3制得的晶体生长初始熔体采用熔体法晶体生长工艺进行单晶生长；生长RE_xGd_1-xScO₃单晶时，采用GdScO₃或RE_xGd_1-xScO₃单晶作为籽晶；生长REʹ_xLa_1-xLuO₃单晶时，采用LaLuO₃单晶或REʹ_xLa_1-xLuO₃单晶为籽晶。