[发明专利]一种透明电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201710088800.7 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106847942B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘正奇;刘桂强;黄镇平;刘晓山 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王加贵 |
| 地址： | 330000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高介电膜 透明电极 金属膜层 制备 电磁共振 基底 透明 红外光 光电控制模块 透明电极材料 高介电材料 可见光 柔韧性 范围覆盖 复合结构 光电应用 介电常数 宽频带光 柔性基底 外界结构 依次设置 耦合 高电导 入射光 透明的 频段 高光 频谱 源层 输出 拓展 | ||
1.一种透明电极，其特征在于，包括：
透明基底和在所述透明基底上依次设置的第一高介电膜层、金属膜层、第二高介电膜层；
所述的金属膜层为连续金属膜层；
所述高介电膜层的介电常数大于等于6.25；
所述金属膜层的厚度为10-50nm；
所述金属膜层的材料选自铜、银、金、铝或铂中的任意一种或几种制备的。
2.如权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述金属膜层的厚度为15-30nm。
3.如权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述第一高介电膜层和第二高介电膜层的厚度为10-100nm。
4.如权利要求3所述的透明电极，其特征在于，所述第一高介电膜层和第二高介电膜层的厚度为30-40nm。
5.如权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述第一高介电膜层和第二高介电膜层的材料选自Ⅲ-Ⅴ族半导体中的一种或几种。
6.如权利要求5所述的透明电极，其特征在于，所述第一高介电膜层和第二高介电膜层的材料为砷化镓、磷化铟、或砷化铟。
7.如权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述第一高介电膜层和第二高介电膜层的材料为单晶硅、多晶硅、纳米晶硅、二氧化钛、或锗。
8.一种如权利要求1-7任一项所述透明电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将透明基底进行清洗并晾干或烘干；
在所述透明基底上沉积第一高介电膜层；
在所述第一高介电膜层上沉积金属膜层；
在金属膜层上面沉积第二高介电膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
