[发明专利]半导体装置以及电力转换装置有效
| 申请号： | 201710085294.6 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107611177B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 池田健太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 电力 转换 | ||
1.一种半导体装置，具备：
晶体管，具有第1电极、第2电极、以及栅极电极；
电阻，具有第1端部和第2端部，上述第2端部电连接于上述栅极电极，上述第1端部被施加用于切换上述晶体管的导通状态和断开状态的栅极信号；
肖特基势垒二极管，具有电连接于上述第1电极的阳极、和电连接在上述电阻与上述栅极电极之间的阴极；
电容器，与上述电阻并联连接；以及
铁氧体磁珠电感器，电连接在上述电阻与上述栅极电极之间，
上述电容器与上述电阻以及上述铁氧体磁珠电感器并联连接，在上述铁氧体磁珠电感器与上述栅极电极之间电连接有上述阴极。
2.如权利要求1所述的半导体装置，
上述电容器的电容小于等于上述晶体管的输入电容的1/3。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，
在上述第2电极与上述第1电极之间流过的电流的时间变化率大于等于206A/μsec，其中A为安培，μsec为微秒。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，
在上述阳极与上述第1电极之间还具备大于等于10nH的寄生电感。
5.如权利要求3所述的半导体装置，
在上述阳极与上述第1电极之间还具备大于等于10nH的寄生电感。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置，
上述晶体管是使用了硅的超结构造的MOSFET。
7.如权利要求1或2所述的半导体装置，
上述晶体管是使用了氮化物半导体的FET。
8.如权利要求1或2所述的半导体装置，
上述晶体管是使用了碳化硅的MOSFET。
9.一种电力转换装置，具备权利要求1或2所述的半导体装置。
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