[发明专利]绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一栅电极；

所述第一栅电极上的包括铟、镓和锌的氧化物半导体膜；

所述氧化物半导体膜上的包括第一导电膜和第二导电膜的第二栅电极；以及

所述第二栅电极上的保护膜，

其中，在所述氧化物半导体膜中铟浓度大于镓浓度，

所述第一导电膜包括铟、锌和氧化物，

所述第二导电膜包括金属元素，并且

所述保护膜是通过电子自旋共振法测定的在g=2.001处的信号的自旋密度低于1.5×10¹⁸ spins/cm³的氧化绝缘膜，其中所述保护膜的所述自旋密度是所述半导体装置的加热处理之后获得的值。

2.一种半导体装置，包括：

第一栅电极；

所述第一栅电极上的包括铟、镓和锌的第一氧化物半导体膜；

所述第一氧化物半导体膜上的包括铟、镓和锌的第二氧化物半导体膜；

所述第二氧化物半导体膜上的包括第一导电膜和第二导电膜的第二栅电极；以及

所述第二栅电极上的保护膜，

其中，在所述第二氧化物半导体膜中铟浓度大于镓浓度，

所述第一导电膜包括铟、锌和氧化物，

所述第二导电膜包括金属元素，并且

所述保护膜是通过电子自旋共振法测定的在g=2.001处的信号的自旋密度低于1.5×10¹⁸spins/cm³的氧化绝缘膜，其中所述保护膜的所述自旋密度是所述半导体装置的加热处理之后获得的值。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第二导电膜在所述第一导电膜上。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述金属元素是从铝、钛、钽、钨和钼中选择的一个。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体膜的铟、镓和锌的原子数比是4:2:3。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体膜包括c轴取向结晶部分。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体膜的氢浓度低于5×10¹⁹atoms/cm³。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体膜的铟、镓和锌的原子数比是1:3:2。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二氧化物半导体膜的铟、镓和锌的原子数比是4:2:3。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜的至少一个包括c轴取向结晶部分。

11.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二氧化物半导体膜的氢浓度低于5×10¹⁹ atoms/cm³。