[发明专利]发光二极管显示器及其制造方法在审
申请号: | 201710076340.6 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN108428713A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 向瑞杰;曾绪祥;陈志强 | 申请(专利权)人: | 宏碁股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管显示器 绝缘层 发光二极管芯片 发光二极管 第一基板 制造 发光二极管电性 发光二极管配置 开关元件配置 绝缘层覆盖 开关元件 良率 | ||
本发明提供一种发光二极管显示器,包括至少一发光二极管芯片。发光二极管芯片包括第一基板、多个发光二极管、第一绝缘层以及多个开关元件。多个发光二极管配置在第一基板上。第一绝缘层覆盖多个发光二极管。多个开关元件配置在第一绝缘层上且与多个发光二极管电性连接。此外,上述发光二极管显示器的制造方法也被提出。利用上述发光二极管显示器的制造方法制造的发光二极管显示器的良率高。
技术领域
本发明涉及一种显示器及其制造方法,尤其涉及一种发光二极管显示器及其制造方法。
背景技术
发光二极管显示器包括多个发光二极管以及具有开关元件的驱动电路基板。在发光二极管显示器的制程中,需将多个发光二极管转置在驱动电路基板上,且使多个发光二极管与驱动电路基板电性连接。转置发光二极管的方法包括巨量转移法以及晶圆转移法。巨量转移法使用弹性转置头将生长基板上的多个发光二极管转置在驱动电路基板上。然而,弹性转置头需具有特殊的结构设计,且需执行多次提出及置放动作才能完成发光二极管的转置。此外,已提取发光二极管的弹性转置头与驱动电路基板需精准的对位,而影响发光二极管显示器的良率。晶圆转移法是将晶圆以及成长于晶圆上的多个发光二极管一起转置到驱动电路基板上,并使晶圆上的多个发光二极管与驱动电路基板电性连接。然而,在晶圆上的多个发光二极管与驱动电路基板电性连接后,需去除晶圆(例如:蓝宝石基板),而使发光二极管显示器的良率低。
发明内容
本发明提供一种发光二极管显示器及其制造方法,良率高。
本发明的发光二极管显示器包括至少一发光二极管芯片。每一发光二极管芯片包括第一基板、配置在第一基板上的多个发光二极管、覆盖多个发光二极管的第一绝缘层以配置在第一绝缘层上且与多个发光二极管电性连接的多个开关元件。
在本发明的一实施例中,上述的第一绝缘层具有暴露多个发光二极管的多个第一接触孔,多个开关元件通过多个第一接触孔与多个发光二极管电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的每一发光二极管包括第一型半导体层、相对于第一型半导体层的第二型半导体层以及位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的发光层。开关元件通过多个第一接触孔与多个发光二极管的多个第一型半导体层电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的每一发光二极管芯片还包括多个导电图案。多个导电图案配置在第一绝缘层上。第一绝缘层还具有暴露发光二极管且与第一接触孔分离的多个第二接触孔。导电图案通过第二接触孔与发光二极管的第二型半导体层电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的第一基板具有凹槽,而发光二极管配置在凹槽中。
在本发明的一实施例中,上述的每一发光二极管芯片还包括第二基板。发光二极管形成于第二基板上。第二基板与发光二极管配置在第一基板上,且第二基板位于发光二极管与第一基板之间。
在本发明的一实施例中,上述的第一基板具有凹槽,而第二基板与发光二极管配置在凹槽中。
在本发明的一实施例中,上述的第一绝缘层全面覆盖第一基板。
在本发明的一实施例中,上述的第一绝缘层局部覆盖第一基板。
在本发明的一实施例中,上述的相邻两个发光二极管之间存在间隙,以使多个发光二极管分离。间隙对应第一基板的一部分,而第一绝缘层不覆盖第一基板的所述部分。
在本发明的一实施例中,上述的每一发光二极管芯片还包括覆盖开关元件的第二绝缘层。
在本发明的一实施例中,上述的每一发光二极管芯片还包括覆盖第二绝缘层的第三基板。
本发明的发光二极管显示器的制造方法,包括下列步骤:提供第一基板以及配置在第一基板上的多个发光二极管;形成第一绝缘层,以覆盖发光二极管;以及在第一绝缘层上形成多个开关元件,其中开关元件与发光二极管电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的