[发明专利]SRAM存储器及其形成方法

说明书

一种SRAM存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底；形成传输晶体管，形成所述传输晶体管的方法包括：在所述基底上形成传输栅极结构，所述传输栅极结构具有相对的第一侧和第二侧，所述传输栅极结构底部的基底中具有沟道区；形成外延层，所述外延层对沟道区产生应力，所述外延层仅位于所述传输栅极结构第一侧的基底中。所述方法使SRAM存储器的电学性能提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种SRAM存储器及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，存储器呈现出高集成度、快速、低功耗的发展趋势。

从功能上将存储器分为随机存储器(RAM，Random Access Memory)和只读存储器(ROM，Read Only Memory)。随机存储器工作时，可以随时从任何一个指定的地址读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元。随机存储器的读写操作方便，使用灵活。

随机存储器可以分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。其中，静态随机存储器利用带有正反馈的触发器来实现存储数据，主要依靠持续的供电来保持数据的完整性。静态随机存储器在使用过程中不需要刷新。静态随机存储器已被广泛应用在计算机的高速缓存和频繁的数据处理中。

然而，现有技术中静态随机存储器的性能较差。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种SRAM存储器及其形成方法，以提高SRAM存储器的电学性能。

为解决上述问题，本发明提供一种SRAM存储器的形成方法，包括：提供基底；形成传输晶体管，形成所述传输晶体管的方法包括：在所述基底上形成传输栅极结构，所述传输栅极结构具有相对的第一侧和第二侧，所述传输栅极结构底部的基底中具有沟道区；形成外延层，所述外延层对沟道区产生应力，所述外延层仅位于所述传输栅极结构第一侧的基底中。

可选的，所述外延层对所述沟道区产生拉应力。

可选的，所述外延层的材料为掺磷的硅或碳硅。

可选的，所述外延层对所述沟道区产生压应力。

可选的，所述外延层的材料包括锗硅。

可选的，形成所述外延层的方法包括：在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成凹槽；采用外延生长工艺在所述凹槽中外延生长外延材料层，形成外延层。

可选的，形成所述传输晶体管的方法还包括：在形成所述外延层之前，在所述基底上和传输栅极结构表面形成侧墙材料层；所述凹槽还贯穿所述侧墙材料层；以所述侧墙材料层为掩膜进行所述外延生长工艺；在进行所述外延生长工艺后，回刻蚀所述侧墙材料层，在所述传输栅极结构侧壁形成侧墙。

可选的，形成所述传输晶体管的方法还包括：在外延生长所述外延材料层的同时，在所述外延材料层中原位掺杂源漏离子，在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成第一源漏掺杂区；在所述传输栅极结构第二侧的基底中注入源漏离子，在传输栅极结构第二侧的基底中形成第二源漏掺杂区；所述外延层位于所述第一源漏掺杂区中。

可选的，形成所述传输晶体管的方法还包括：在所述传输栅极结构第一侧的外延层和基底中、以及传输栅极结构第二侧的基底中注入源漏离子，在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成第一源漏掺杂区，在所述传输栅极结构第二侧的基底中形成第二源漏掺杂区。

可选的，所述SRAM存储器还包括：锁存器，所述锁存器包括上拉晶体管和下拉晶体管；在写数据状态时，所述上拉晶体管和下拉晶体管将数据通过所述传输晶体管存储到锁存器中，在读数据状态时，所述上拉晶体管和下拉晶体管将锁存器中存储的数据通过所述传输晶体管输出。