[发明专利]SRAM存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种SRAM存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

形成传输晶体管，形成所述传输晶体管的方法包括：

在所述基底上形成传输栅极结构，所述传输栅极结构具有相对的第一侧和第二侧，所述传输栅极结构底部的基底中具有沟道区；

形成外延层，所述外延层对沟道区产生应力，所述外延层仅位于所述传输栅极结构第一侧的基底中；

在所述传输栅极结构第一侧的外延层和基底中、以及传输栅极结构第二侧的基底中注入源漏离子，在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成第一源漏掺杂区，在所述传输栅极结构第二侧的基底中形成第二源漏掺杂区；所述外延层位于所述第一源漏掺杂区中；

所述传输晶体管的类型为N型，且所述外延层对所述沟道区产生拉应力时，或者，当所述传输晶体管的类型为P型，且所述外延层对所述沟道区产生压应力时，所述第二源漏掺杂区与锁存器连接；

当所述传输晶体管的类型为P型，且所述外延层对所述沟道区产生拉应力时，或者，当所述传输晶体管的类型为N型，且所述外延层对所述沟道区产生压应力时，所述第一源漏掺杂区与所述锁存器连接。

2.根据权利要求1所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述外延层对所述沟道区产生拉应力。

3.根据权利要求2所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述外延层的材料为掺磷的硅或碳硅。

4.根据权利要求1所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述外延层对所述沟道区产生压应力。

5.根据权利要求4所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述外延层的材料包括锗硅。

6.根据权利要求1所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，形成所述外延层的方法包括：在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成凹槽；采用外延生长工艺在所述凹槽中外延生长外延材料层，形成外延层。

7.根据权利要求6所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，形成所述传输晶体管的方法还包括：在形成所述外延层之前，在所述基底上和传输栅极结构表面形成侧墙材料层；所述凹槽还贯穿所述侧墙材料层；以所述侧墙材料层为掩膜进行所述外延生长工艺；在进行所述外延生长工艺后，回刻蚀所述侧墙材料层，在所述传输栅极结构侧壁形成侧墙。

8.根据权利要求7所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，形成所述传输晶体管的方法还包括：在外延生长所述外延材料层的同时，在所述外延材料层中原位掺杂源漏离子，形成所述第一源漏掺杂区及所述第二源漏掺杂区。

9.根据权利要求1或8所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述SRAM存储器还包括：所述锁存器，所述锁存器包括上拉晶体管和下拉晶体管；在写数据状态时，所述上拉晶体管和下拉晶体管将数据通过所述传输晶体管存储到锁存器中，在读数据状态时，所述上拉晶体管和下拉晶体管将锁存器中存储的数据通过所述传输晶体管输出。

10.根据权利要求1所述的SRAM存储器的形成方法，在所述传输晶体管的类型为N型，且所述外延层对所述沟道区产生拉应力时，或者，当所述传输晶体管的类型为P型，且所述外延层对所述沟道区产生压应力时，当所述SRAM存储器处于读数据状态时，第一传输源漏区为传输晶体管的源区，第二传输源漏区为传输晶体管的漏区；当所述SRAM存储器处于写数据状态时，所述第一传输源漏区为传输晶体管的漏区，所述第二传输源漏区为传输晶体管的源区。