[发明专利]偏压产生电路以及存储器的控制电路有效

专利信息
申请号: 201710060974.2 申请日: 2017-01-25
公开(公告)号: CN108346440B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 权彝振;倪昊;刘晓艳 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 偏压 产生 电路 以及 存储器 控制电路
【说明书】:

发明提供了一种偏压产生电路及存储器的控制电路,包括:第一上电序列和第二上电序列。第一上电序列中,通过第一上电电路产生第一电压信号,并当第一电压信号达到第一预定电压时电荷泵产生泵偏压;在第二上电序列中,通过所述第二上电序列产生第二电压信号,并当第二电压信号达到第二预定电压时偏压开关打开,所述电荷泵产生的泵偏压经由所述偏压开关输出以形成输出偏压。其中,所述第二电压信号达到第二预定电压的时间晚于所述第一电压信号达到第一预定电压的时间。本发明提供的偏压产生电路中,通过两个上电序列,实现更快速的形成稳定的输出偏压的目的。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种偏压产生电路及存储器的控制电路。

背景技术

存储器在执行相应的操作时,例如读操作、擦除操作等,需在其存储单元阵列上施加一偏压,所述偏压一般是通过一偏压产生电路提供。

所述偏压产生电路根据一电压信号产生偏压。即,当电压信号达到其预定电压时,则偏压产生电路导通,从而可产生偏压。其中,所产生的电压信号的电压值并不是直接即可达到其预定电压值,也就是说,在开始产生电压信号时,其电压值通常较低,此时偏压产生电路不导通;随着时间的推移,所产生的电压信号的电压值逐渐升高,并达到其预定电压时,所述偏压产生电路导通并开始提供偏压。

然而,用于控制偏压产生电路导通的器件,由于其受到各个因素的影响(例如,形成工艺或环境温度等),在初始状态下器件的导通状态并不稳定,从而使偏压产生电路在其导通的初始阶段不能提供一稳定的偏压,若不稳定的偏压直接施加于存储单元阵列上,则极易导致误操作的现象。

发明内容

本发明的目的在于提供一种偏压产生电路及MTP器件的控制电路,以解决现有的偏压产生电路无法快速产生稳定偏压的问题。

为解决上述技术问题,本发明提供一种偏压产生电路,包括:

第一上电序列,所述第一上电序列包括第一上电电路和电荷泵,所述第一上电电路产生第一电压信号,当所述第一电压信号达到第一预定电压时,所述电荷泵产生泵偏压;

第二上电序列,所述第二上电序列包括第二上电电路和偏压开关,所述第二上电电路产生第二电压信号,当所述第二电压信号达到第二预定电压时,所述偏压开关打开,所述电荷泵产生的泵偏压经由所述偏压开关输出以形成输出偏压;

其中,所述第二电压信号达到第二预定电压的时间晚于所述第一电压信号达到第一预定电压的时间。

可选的,所述第一上电序列还包括第一晶体管,所述第一晶体管的栅极与所述第一上电电路的输出端连接,所述第一晶体管的源极与所述电荷泵连接,所述第一晶体管的漏极接地。

可选的,所述第一晶体管为N型晶体管。

可选的,所述第二上电序列还包括第二晶体管,所述第二晶体管的栅极与所述第二上电电路的输出端连接,所述第二晶体管的源极与所述偏压开关连接,所述第二晶体管的漏极接地。

可选的,所述第二晶体管为N型晶体管。

可选的,所述第一上电序列还包括第一反相器,所述第一反相器连接于所述第一上电电路和所述电荷泵之间。

可选的,所述第二上电序列还包括第二反相器,所述第二反相器连接于所述第二上电电路和所述偏压开关之间。

可选的,所述第一上电序列还包括时钟发生器,所述时钟发生器的输出端与所述电荷泵连接,当所述第一电压信号达到第一预定电压时,所述时钟发生器产生时钟信号,所述电荷泵利用所述时钟信号产生泵偏压。

可选的,所述电荷泵为负电荷泵或者正电荷泵。

可选的,所述偏压开关为正偏压开关或负偏压开关。

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