[发明专利]偏压产生电路以及存储器的控制电路有效

专利信息
申请号: 201710060974.2 申请日: 2017-01-25
公开(公告)号: CN108346440B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 权彝振;倪昊;刘晓艳 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 偏压 产生 电路 以及 存储器 控制电路
【权利要求书】:

1.一种偏压产生电路,其特征在于,包括:

第一上电序列,所述第一上电序列包括第一上电电路和电荷泵,所述第一上电电路产生第一电压信号,当所述第一电压信号达到第一预定电压时,所述电荷泵产生泵偏压;

第二上电序列,所述第二上电序列包括第二上电电路和偏压开关,所述第二上电电路产生第二电压信号,当所述第二电压信号达到第二预定电压时,所述偏压开关打开,所述电荷泵产生的泵偏压经由所述偏压开关输出以形成输出偏压;

其中,所述第二电压信号达到第二预定电压的时间晚于所述第一电压信号达到第一预定电压的时间。

2.如权利要求1所述的偏压产生电路,其特征在于,所述第一上电序列还包括第一晶体管,所述第一晶体管的栅极与所述第一上电电路的输出端连接,所述第一晶体管的源极与所述电荷泵连接,所述第一晶体管的漏极接地。

3.如权利要求2所述的偏压产生电路,其特征在于,所述第一晶体管为N型晶体管。

4.如权利要求1所述的偏压产生电路,其特征在于,所述第二上电序列还包括第二晶体管,所述第二晶体管的栅极与所述第二上电电路的输出端连接,所述第二晶体管的源极与所述偏压开关连接,所述第二晶体管的漏极接地。

5.如权利要求4所述的偏压产生电路,其特征在于,所述第二晶体管为N型晶体管。

6.如权利要求1所述的偏压产生电路,其特征在于,所述第一上电序列还包括第一反相器,所述第一反相器连接于所述第一上电电路和所述电荷泵之间。

7.如权利要求1所述的偏压产生电路,其特征在于,所述第二上电序列还包括第二反相器,所述第二反相器连接于所述第二上电电路和所述偏压开关之间。

8.如权利要求1所述的偏压产生电路,其特征在于,所述第一上电序列还包括时钟发生器,所述时钟发生器的输出端与所述电荷泵连接,当所述第一电压信号达到第一预定电压时,所述时钟发生器产生时钟信号,所述电荷泵利用所述时钟信号产生泵偏压。

9.如权利要求1所述的偏压产生电路,其特征在于,所述电荷泵为负电荷泵。

10.如权利要求1所述的偏压产生电路,其特征在于,所述电荷泵为正电荷泵。

11.如权利要求1所述的偏压产生电路,其特征在于,所述偏压开关为正偏压开关。

12.如权利要求1所述的偏压产生电路,其特征在于,所述偏压开关为负偏压开关。

13.一种存储器的控制电路,其特征在于,包括如权利要求1-12其中之一所述的偏压产生电路以及存储单元阵列,所述偏压产生电路产生偏压并施加于所述存储单元阵列上。

14.如权利要求13所述的存储器的控制电路,其特征在于,所述存储器为MTP存储器。

15.如权利要求14所述的存储器的控制电路,其特征在于,所述存储单元阵列为P型存储单元阵列。

16.如权利要求15所述的存储器的控制电路,其特征在于,在执行读操作时,所述偏压产生电路产生负偏压并施加于所述存储单元阵列的选择栅上。

17.如权利要求15所述的存储器的控制电路,其特征在于,在执行擦除操作时,所述偏压产生电路产生正偏压并施加于所述存储单元阵列的选择栅上。

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