[发明专利]一种模组化的光电二极管封装制造方法在审
| 申请号： | 201710012905.4 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN106783834A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王国庆;褚宏深;黄正信 | 申请（专利权）人： | 丽智电子(昆山)有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 薛海霞,董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 模组化 光电二极管 封装 制造 方法 | ||
1.一种模组化的光电二极管封装制造方法，其制造步骤如下：
a、在基板（1）上切V型槽（8）以形成若干单元，在每个单元上制作通孔；
b、将不发光二极管晶粒（2）黏着于通孔内，用环氧树脂（3）填充使不发光二极管晶粒固定在孔内；
c、在基板下方印刷导电胶形成下导体层（4），使之与不发光二极管晶粒下表面连接；
d、在基板上方印刷导电胶形成上导体层（5），使之与不发光二极管晶粒上表面连接；
e、采用倒装LED晶粒（6），其N极与不发光二极管晶粒上方相连的部分上导体层连接，倒装LED晶粒P极与其余上导体层连接；
f、在基板上方覆上硅胶层（7）封盖整片基板及LED晶粒和上、下导体层；
g、将基板V型槽对应位置的硅胶层上形成切缝（10）；
h、将基板折裂成条状；
i、在基板两侧设置侧导体层（8），侧导体层连接上下导体层，形成端电极；
j、将条状基板折裂成颗粒状元件；
k、在端电极上形成具有焊锡金属导体层。
2.根据权利要求1所述的一种模组化的光电二极管封装制造方法，其特征在于：所述基板(1)为陶瓷材质。
3.根据权利要求1所述的一种模组化的光电二极管封装制造方法，其特征在于：所述不发光二极管晶粒(2)为具有PN结结构，且不发光之半导体元件。
4.根据权利要求1所述的一种模组化的光电二极管封装制造方法，其特征在于：所述倒装LED晶粒（6）外延层的衬底，其能隙高于发光外延层的能隙。
5.根据权利要求1所述的一种模组化的光电二极管封装制造方法，其特征在于：所述倒装LED晶粒（6）发光波长从300nm到980nm之间。
6.根据权利要求1所述的一种模组化的光电二极管封装制造方法，其特征在于：所述倒装LED晶粒（6）采用串联型的集成LED晶粒组成倒装晶粒。
7.根据权利要求1所述的一种模组化的光电二极管封装制造方法，其特征在于：所述硅胶（7）为混合荧光粉的混粉胶。
8.根据权利要求1所述的一种模组化的光电二极管封装制造方法，其特征在于：所述在基板V型槽对应位置的硅胶层上形成切缝的具体过程为：采用在硅胶层上涂布感光绝缘漆，再经曝光、显影、去模，以形成切缝。
9.根据权利要求1所述的一种模组化的光电二极管封装制造方法，其特征在于：所述倒装LED晶粒（6）为串联型的集成AlInGaN LED晶粒组成的倒装晶粒。
10.根据权利要求9所述的一种模组化的光电二极管封装制造方法，其特征在于：所述不发光二极管晶粒与集成AlInGaN LED晶粒以并联电路连接。
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