[发明专利]阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置有效
| 申请号: | 201710005439.7 | 申请日: | 2017-01-04 |
| 公开(公告)号: | CN106653774B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
| 发明(设计)人: | 万云海;杨成绍;姜涛;唐新阳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 掩膜版 显示装置 | ||
本发明公开一种阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置,属于显示技术领域。阵列基板包括:衬底基板以及依次设置在衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线,源漏极层包括源极和漏极,栅绝缘层上设置有第一孔状结构,钝化层位于第一孔状结构内的部分设置有第二孔状结构,钝化层位于第一孔状结构外的部分设置有漏极过孔,第二孔状结构的侧壁与第一孔状结构的侧壁不接触,像素连接线通过第二孔状结构和漏极过孔将像素电极与漏极连接,本发明解决了显示装置容易出现暗线不良的问题,达到了避免显示装置出现暗线不良的效果。本发明用于显示装置。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置。
背景技术
液晶显示装置(英文:Liquid Crystal Display;简称:LCD)是一种应用广泛的显示装置,其主要部件为液晶面板,液晶面板包括对盒成形的阵列基板和彩膜基板,以及充填在阵列基板和彩膜基板之间的液晶,阵列基板中设置有薄膜晶体管(英文:(Thin FilmTransistor;简称:TFT),LCD通过公共电极以及与TFT连接的像素电极产生电场来控制液晶偏转,实现图像显示。
请参考图1,其示出了相关技术提供的一种阵列基板0的结构示意图,参见图1,阵列基板0包括:衬底基板01以及依次设置在衬底基板01上的像素电极02、栅极03、栅绝缘层04、有源层05、源漏极层06、钝化层07和像素连接线08,像素电极02与栅极03位于同一层,源漏极层06包括源极061和漏极062,栅绝缘层04上设置有第一过孔(图1中未标出),钝化层07上设置有漏极过孔(图1中未标出)和第二过孔(图1中未标出),第二过孔与第一过孔在钝化层07与栅绝缘层04的交界处连通,像素连接线08通过漏极过孔、第二过孔和第一过孔将像素电极02与漏极062连接。其中,第二过孔和第一过孔通过一次构图工艺形成。
在实现本发明的过程中,发明人发现相关技术至少存在以下问题:
钝化层与栅绝缘层的材质不同,使得在形成第二过孔和第一过孔的过程中,钝化层与栅绝缘层的刻蚀速率不同,从而钝化层与栅绝缘层的交界处容易形成缺口,像素连接线在钝化层与栅绝缘层的交界处容易发生断裂,导致相应的子像素无法实现图像显示,显示装置在显示的过程中容易出现暗线不良。
发明内容
为了解决显示装置容易出现暗线不良的问题,本发明提供一种阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置。所述技术方案如下:
第一方面,提供一种阵列基板,所述阵列基板包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板上的显示单元;
所述显示单元包括:依次设置在所述衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线,所述源漏极层包括源极和漏极,所述栅绝缘层上设置有第一孔状结构,所述钝化层位于所述第一孔状结构内的部分设置有第二孔状结构,所述钝化层位于所述第一孔状结构外的部分设置有漏极过孔,所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触,所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。
可选地,所述显示单元还包括:设置在所述栅绝缘层上的有源层,所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域,所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触。
可选地,所述栅极与所述像素电极位于同一层;
所述像素连接线的形成材料与所述像素电极的形成材料相同。
第二方面,提供一种阵列基板的制造方法,所述方法包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





