[发明专利]阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置有效

专利信息
申请号: 201710005439.7 申请日: 2017-01-04
公开(公告)号: CN106653774B 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 万云海;杨成绍;姜涛;唐新阳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
代理公司: 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人: 滕一斌
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 掩膜版 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:

衬底基板,以及设置在所述衬底基板上的显示单元;

所述显示单元包括:依次设置在所述衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线,所述栅绝缘层的材质与所述钝化层的材质不同,所述源漏极层包括源极和漏极,所述栅绝缘层上设置有第一孔状结构,所述钝化层位于所述第一孔状结构内的部分设置有第二孔状结构,所述钝化层位于所述第一孔状结构外的部分设置有漏极过孔,所述第二孔状结构位于所述第一孔状结构内,所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触,所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述显示单元还包括:

设置在所述栅绝缘层上的有源层,所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域,所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,

所述栅极与所述像素电极位于同一层;

所述像素连接线的形成材料与所述像素电极的形成材料相同。

4.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

在衬底基板上形成显示单元,所述显示单元包括:依次形成在所述衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线,所述栅绝缘层的材质与所述钝化层的材质不同,所述源漏极层包括源极和漏极,所述栅绝缘层上形成有第一孔状结构,所述钝化层位于所述第一孔状结构内的部分形成有第二孔状结构,所述钝化层位于所述第一孔状结构外的部分形成有漏极过孔,所述第二孔状结构位于所述第一孔状结构内,所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触,所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成显示单元,包括:

在所述衬底基板上依次形成所述像素电极、所述栅极和所述栅绝缘层;

通过一次构图工艺在所述栅绝缘层上形成所述第一孔状结构;

在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上依次形成所述源漏极层和所述钝化层,所述钝化层部分位于所述第一孔状结构内;

通过一次构图工艺在所述钝化层上形成所述第二孔状结构和所述漏极过孔,所述第二孔状结构位于所述第一孔状结构内,所述漏极过孔位于所述第一孔状结构外,且所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触;

在形成有所述钝化层的衬底基板上形成所述像素连接线,所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述显示单元还包括:设置在所述栅绝缘层上的有源层,在所述衬底基板上依次形成所述像素电极、所述栅极和所述栅绝缘层之后,所述方法还包括:

在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成所述有源层,所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域;

所述在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上依次形成所述源漏极层和所述钝化层,包括:

在形成有所述有源层的衬底基板上依次形成所述源漏极层和所述钝化层,所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触。

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