[发明专利]溅射沉积源、具有该溅射沉积源的溅射沉积设备以及将层沉积于基板上的方法

说明书

根据本公开内容的一方面，提供一种溅射沉积源(100、200)。溅射沉积源包括：电极阵列(110)，具有两对或更多对电极，其中电极阵列的每个电极(112)围绕各自旋转轴(A)可旋转且配置为提供待沉积于基板(10)上的靶材材料；和电源供应器布置(120)，配置为分别将双极脉冲直流电压提供至所述两对或更多对电极。根据本公开内容的另一方面，提供一种利用溅射沉积源(100、200)将层沉积于基板上的方法。

技术领域

本公开内容涉及一种溅射沉积源，配置为将层沉积于基板上。本公开内容进一步涉及一种具有溅射沉积源的溅射沉积设备以及一种通过溅射将薄膜层沉积于基板上的方法。更具体而言，本公开内容涉及利用可旋转电极阵列进行溅射。

背景技术

将具有高均匀性的薄膜层形成于基板上，在许多技术领域中是相关的议题。举例而言，在薄膜晶体管(TFT)的领域中，一个或多个沉积层的厚度均匀性和电气特性的均匀性对于可靠地制作出显示通道区而言可能是一个议题。

将层形成在基板上的一个方法是溅射，而在多种制造领域中，例如在薄膜晶体管的制造中，溅射已经发展为具有价值的方法。进行溅射时，溅射靶材被等离子体的能量粒子(例如是反应性气体或惰性气体的能量化离子)撞击而射出原子。射出的原子可沉积在基板上，因而溅射材料的膜层可形成于基板上。

已知的溅射沉积源包括电源供应器布置(power supply arrangement)，其具有电源供应器用以产生并将电能提供至溅射沉积源的一个或多个电极，例如是阴极。此能量沉积于阴极之间的气体中用于点燃并维持等离子体，且等离子体离子和等离子体电子的移动可由磁性组件而控制，而磁性组件可布置于阴极的背后。阴极可包括各自的靶材，用于由等离子体溅射而提供涂布材料。

可以经由具有不同电气、磁性和机械构造的广泛多种装置而完成溅射。已知的构造包括电源布置，其提供直流电(DC)或交流电(AC)以制造等离子体，其中相较于直流电场，交流电场施加至气体通常具有较高等离子体率。在射频(RF)溅射设备中，通过施加射频电场而撞击并维持等离子体。因此，非导电性材料也可以被溅射。和射频溅射相比，直流溅射典型地具有较高的沉积速度，但可能因为电弧率可能较高而较会发生问题。

提供配置为提供高沉积速度同时可以降低电弧率的溅射沉积源会是有益的。更进一步，有助于使溅射材料形成均匀层的溅射沉积源以及溅射沉积设备会是有益的。

发明内容

有鉴于上述，提供溅射沉积源、溅射沉积设备以及将层沉积于基板上的方法。

根据本公开内容的一方面，提供一种溅射沉积源。溅射沉积源包括：具有两对或更多对电极的电极阵列，其中电极阵列的每个电极围绕各自旋转轴可旋转且配置为提供待沉积于基板(10)上的靶材材料；和电源供应器布置，配置为分别将双极脉冲直流电压提供至两对或更多对电极。

根据本公开内容的另一方面，提供一种溅射沉积设备。溅射沉积设备包括：真空腔室；溅射沉积源，包括具有两对或更多对电极的电极阵列，其中此电极阵列布置于真空腔室中；和基板支撑件，布置于真空腔室中且配置为于沉积期间支撑基板。电极阵列的每个电极围绕各自旋转轴可旋转且配置为提供待沉积于基板上的靶材材料。溅射沉积源进一步包括电源供应器布置，配置为分别将双极脉冲直流电压提供至两对或更多对电极。

根据本公开内容的又一方面，提供利用包括可旋转电极阵列的溅射沉积源将层沉积于基板上的方法。此方法包括分别将双极脉冲直流电压提供至可旋转电极阵列的两对或更多对电极。

根据从属权利要求、说明书和附图，本公开内容的其他方面、优点和特征是显而易见的。

附图说明

为了使此处所述的本公开内容的上述特征可详细地了解，简要摘录于上的本公开内容更特有的说明可参照实施方式。所附附图是与本公开内容的实施方式相关且说明于下方。典型的实施方式在附图中示出并且在下面的描述中详述。