[发明专利]半导体电路、驱动方法和电子设备

说明书

该半导体电路包括：第一电路，被配置为使用第一节点的电压来由此生成反转电压，并且将反转电压施加到第二节点；第二电路，被配置为使用第二节点的电压来由此生成反转电压，并且将反转电压施加到第一节点；第一晶体管，当被导通时将第一节点连接到第三节点；第二晶体管，当被导通时向第三节点供应第一直流电压；和第一存储单元，连接到第三节点，并且具有能够采取第一电阻状态或第二电阻状态的第一存储元件。

技术领域

本公开涉及半导体电路、半导体电路的驱动方法和包括半导体电路的电子设备。

背景技术

从环保的角度来看，期望电子设备的低功耗。在半导体电路中，例如，经常使用所谓的功率门控的技术。功率门控选择性地暂停被供应到一些电路的电力以便减小功耗。期望的是，紧接在重新启动电力供应之后使电力供应已被暂停的电路恢复到电力供应的暂停之前的操作状态。在如此短的时间段内实现恢复操作的一种方法是将非易失性存储器包含在电路中。例如，PTL 1公开了具有作为易失性存储器的SRAM(静态随机存取存储器)和自旋转移矩(spin transfer torque)存储装置的组合的电路。

引用列表

专利文献

PTL 1:WO2009/028298A1

发明内容

顺便提及，期望存储电路中的写入错误减少，并且期待写入错误的进一步减少。

期望提供可以减少写入错误的半导体电路、驱动方法和电子设备。

根据本公开的实施例的半导体电路包括第一电路、第二电路、第一晶体管、第二晶体管和第一存储部分。第一电路能够基于第一节点处的电压生成第一节点处的电压的反转电压，并且将反转电压施加到第二节点。第二电路能够基于第二节点处的电压生成第二节点处的电压的反转电压，并且将反转电压施加到第一节点。第一晶体管被导通以将第一节点耦合到第三节点。第二晶体管被导通以将第一直流电压供应到第三节点。第一存储部分耦合到第三节点，并且包括能够采取第一电阻状态或第二电阻状态的第一存储装置。

根据本公开的实施例的驱动方法在包括第一电路、第二电路、第一晶体管、第二晶体管和第一存储部分的半导体电路上执行，第一电路能够基于第一节点处的电压生成第一节点处的电压的反转电压，并且将反转电压施加到第二节点，第二电路能够基于第二节点处的电压生成第二节点处的电压的反转电压，并且将反转电压施加到第一节点，第一晶体管被导通以将第一节点耦合到第三节点，第二晶体管被导通以将第一直流电压供应到第三节点，以及第一存储部分包括第一端子和第二端子，其中第一端子耦合到第三节点，第二端子被供应控制电压，并且第一存储部分包括能够采取第一电阻状态或第二电阻状态的第一存储装置，该驱动方法包括：在第一时段中执行第一驱动，第一驱动将控制电压设定为与第一直流电压的电压电平不同的第一电压电平，导通第二晶体管，并且断开第一晶体管，从而允许第一存储装置的电阻状态成为第一电阻状态；以及在第一时段之后的第二时段中执行第二驱动，第二驱动将控制电压设定为第二电压电平，从而允许第一存储装置的电阻状态成为取决于第一节点处的电压的电阻状态。

根据本公开的实施例的电子设备包括半导体电路和电池。电池将电源电压供应到半导体电路。半导体电路包括第一电路、第二电路、第一晶体管、第二晶体管和第一存储部分。第一电路能够基于第一节点处的电压生成第一节点处的电压的反转电压，并且将反转电压施加到第二节点。第二电路能够基于第二节点处的电压生成第二节点处的电压的反转电压，并且将反转电压施加到第一节点。第一晶体管被导通以将第一节点耦合到第三节点。第二晶体管被导通以将第一直流电压供应到第三节点。第一存储部分耦合到第三节点，并且包括能够采取第一电阻状态或第二电阻状态的第一存储装置。

在本公开的各个实施例中的半导体电路、驱动方法和电子设备中，第一电路和第二电路允许彼此反转的电压出现在第一节点和第二节点中。第一晶体管被导通，从而允许第一存储部分所耦合到的第三节点被耦合到第一节点。此外，第二晶体管被导通，以将第一直流电压供应到第三节点。