[发明专利]半导体电路、驱动方法和电子设备

权利要求书

1.一种半导体电路，包括：

第一电路，第一电路能够基于第一节点处的电压生成第一节点处的电压的反转电压，并且将该反转电压施加到第二节点；

第二电路，第二电路能够基于第二节点处的电压生成第二节点处的电压的反转电压，并且将该反转电压施加到第一节点；

第一晶体管，第一晶体管被导通以将第一节点耦合到第三节点；

第二晶体管，第二晶体管被导通以将第一直流电压供应到第三节点；

第一存储部分，第一存储部分耦合到第三节点并且包括能够采取第一电阻状态或第二电阻状态的第一存储装置；和

驱动器，

其中第一存储部分包括第一端子和第二端子，第一端子耦合到第三节点，第二端子被供应控制电压，

其中，在第一时段中，所述驱动器将所述控制电压设定为与第一直流电压的电压电平不同的第一电压电平，导通第二晶体管，并且断开第一晶体管，从而允许第一存储装置的电阻状态成为第一电阻状态，以及

其中，在第一时段之后的第二时段中，所述驱动器将所述控制电压设定为第二电压电平，从而允许第一存储装置的电阻状态成为取决于第一节点处的电压的电阻状态。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，还包括：

第三晶体管，第三晶体管包括漏极、源极和与第一节点或第二节点耦合的栅极，并且其中第二直流电压被供应到漏极和源极中的一个；和

第四晶体管，第四晶体管被导通以将第三晶体管的漏极和源极中的另一个耦合到第三节点。

3.根据权利要求1所述的半导体电路，还包括：

第三晶体管，第三晶体管包括漏极、源极和与第一节点或第二节点耦合的栅极，并且其中漏极和源极中的一个耦合到第三节点；和

第四晶体管，第四晶体管被导通以将第二直流电压供应到第三晶体管的漏极和源极中的另一个。

4.根据权利要求3所述的半导体电路，还包括：

第三电路，第三电路能够基于第四节点处的电压生成第四节点处的电压的反转电压，并且将该反转电压施加到第五节点；

第四电路，第四电路能够基于第五节点处的电压生成第五节点处的电压的反转电压，并且将该反转电压施加到第四节点；

第五晶体管，第五晶体管被导通以将第四节点耦合到第六节点；

第六晶体管，第六晶体管被导通以将第一直流电压供应到第六节点；

第二存储部分，第二存储部分耦合到第六节点并且包括能够采取第一电阻状态或第二电阻状态的第二存储装置；和

第七晶体管，第七晶体管包括漏极、源极和与第四节点或第五节点耦合的栅极，并且其中漏极和源极中的一个耦合到第六节点，

其中第四晶体管被导通以将第二直流电压供应到第七晶体管的漏极和源极中的另一个。

5.根据权利要求2所述的半导体电路，其中，在第一时段中，所述驱动器将所述控制电压设定为与第一直流电压的电压电平不同的第一电压电平，导通第二晶体管，并且断开第一晶体管和第四晶体管，从而允许第一存储装置的电阻状态成为第一电阻状态，以及

其中，在第一时段之后的第二时段中，所述驱动器将所述控制电压设定为第二电压电平，从而允许第一存储装置的电阻状态成为取决于第一节点处的电压的电阻状态。

6.根据权利要求5所述的半导体电路，其中，在第二时段之后的第三时段中，所述驱动器将所述控制电压设定为第二电压电平，导通第一晶体管，并且断开第二晶体管和第四晶体管，从而将第一节点处的电压设定为取决于第一存储装置的电阻状态的电压。

7.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，

第一存储部分包括第八晶体管，第八晶体管被导通以将第三节点耦合到第一存储装置的第一端子。

8.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，

第一存储部分包括第八晶体管，第八晶体管被导通以将控制电压供应到第一存储装置的第二端子。