[发明专利]全模制周边堆叠封装设备

说明书

本发明公开了一种制备半导体器件的方法，所述方法可包括提供具有半导体管芯安装位点的临时载体，以及将导电互连件形成在所述半导体管芯安装位点的周边中的所述临时载体上方。半导体管芯可安装在所述半导体管芯安装位点处。可使用模制化合物密封所述导电互连件和半导体管芯。可暴露所述导电互连件的第一端。可移除所述临时载体以暴露与所述导电互连件的所述第一端相反的所述导电互连件的第二端。可蚀刻所述导电互连件以使所述导电互连件的所述第二端相对于所述模制化合物凹进。所述导电互连件可包括第一部分、第二部分以及设置在所述第一部分与所述第二部分之间的蚀刻停止层。

相关专利申请的交叉引用

本申请要求2015年11月20日提交的名称为“Three-Dimensional Fully MoldedSemiconductor Package”(三维全模制半导体封装)的美国临时专利62/258,308的权益(包括提交日期)，该美国临时专利的公开内容据此以引用方式并入本文。本申请也是2015年11月2日提交的名称为“Semiconductor Device and Method Comprising RedistributionLayers”(包括再分布层的半导体器件和方法)的美国申请序列号14/930,514的美国专利申请的部分继续申请，该专利申请是2015年3月9日提交的名称为“Semiconductor Deviceand Method Comprising Thickened Redistribution Layers”(包括增厚再分布层的半导体器件和方法)的申请序列号14/642,531的部分继续申请，该申请要求2014年3月10日提交的名称为“Wafer-Level-Chip-Scale-Packages with Thick Redistribution LayerTraces”(具有厚再分布层迹线的晶圆级管芯规模封装)的美国临时专利61/950,743的权益，并且进一步还是2014年12月29日提交的名称为“Die Up Fully Molded Fan-Out WaferLevel Packaging”(管芯朝上全模制扇出晶圆级封装)的美国申请序列号14/584,978的部分继续申请，该申请是2013年9月12日提交的名称为“Die Up Fully Molded Fan-OutWafer Level Packaging”(管芯朝上全模制扇出晶圆级封装)的美国申请序列号14/024,928(目前公布为专利8,922,021)的继续申请，该申请是2012年9月30日提交的名称为“DieUp Fully Molded Fan-Out Wafer Level Packaging”(管芯朝上全模制扇出晶圆级封装)的美国申请序列号13/632,062(目前公布为专利8,535,978)的继续申请，该申请是2011年12月30日提交的名称为“Fully Molded Fan-Out”(全模制扇出)的美国申请序列号13/341,654(目前公布为专利8,604,600)的部分继续申请，并且要求2012年7月18日提交的名称为“Fan-Out Semiconductor Package”(扇出半导体封装)的美国临时专利61/672,860的提交日期的权益，这些专利申请的公开内容据此以引用方式并入本文。

技术领域

本公开涉及全模制半导体封装及其制备方法，其包括半导体管芯周围的周边区域，该周边区域包括有利于多个半导体封装的堆叠封装(PoP)叠堆的竖直取向的电互连件。

背景技术

半导体器件普遍存在于现代电子产品中。半导体器件在电子部件的数量和密度方面有差别。分立半导体器件一般包含一种类型的电子部件，例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件通常包含几百到几百万个电子部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件(CCD)、太阳能电池以及数字微镜器件(DMD)。

半导体器件执行宽泛范围的功能，诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子设备、将太阳光转换成电力以及为电视显示器创建视觉投影。半导体器件存在于娱乐、通信、功率变换、网络、计算机和消费品的领域中。半导体器件也存在于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中。