[发明专利]全模制周边堆叠封装设备

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有半导体管芯安装位点的临时载体；

将导电互连件的第一部分形成在所述半导体管芯安装位点的周边中的所述临时载体上方；

将蚀刻停止层形成在所述导电互连件的所述第一部分上方；

将所述导电互连件的第二部分形成在所述蚀刻停止层上方和所述导电互连件的所述第一部分上方；

将半导体管芯安装在所述半导体管芯安装位点处；

使用模制化合物密封所述导电互连件和半导体管芯；

在所述导电互连件的所述第二部分上暴露所述导电互连件的第一端；

形成堆焊互连结构以连接半导体管芯和所述导电互连件的所述第一端；

移除所述临时载体以在所述导电互连件的所述第二部分上暴露与所述导电互连件的所述第一端相反的所述导电互连件的第二端；以及

蚀刻所述导电互连件的所述第一部分以暴露所述蚀刻停止层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述蚀刻停止层包括形成具有20-40μm范围内的厚度的焊料层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括在蚀刻所述导电互连件的所述第一部分以暴露所述蚀刻停止层之后，使所述焊料蚀刻停止层回流以形成凸块。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述蚀刻停止层形成为可焊表面饰面，当所述导电互连件的所述第二部分耦接到导电凸块时，所述可焊表面饰面保留在所述导电互连件的所述第二部分上方。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

由未由蚀刻所述导电互连件的所述第一部分的第一蚀刻化学物质蚀刻的材料来形成所述蚀刻停止层；以及

由未由蚀刻所述蚀刻停止层的第二蚀刻化学物质蚀刻的铜材料来形成所述导电互连件的所述第二部分。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括形成堆焊互连结构以连接所述半导体管芯和所述导电互连件的所述第一端。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使用第一研磨工艺暴露所述导电互连件的所述第一端；以及

使用移除所述临时载体的第二研磨工艺暴露所述导电互连件的所述第二端。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使用管芯附接膜DAF将所述半导体管芯安装在所述半导体管芯安装位点处；以及

在移除所述临时载体之后暴露所述DAF材料。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有半导体管芯安装位点的临时载体；

将导电互连件形成在所述半导体管芯安装位点的周边中的所述临时载体上方，其中所述导电互连件中的每一个包括：

第一部分；

第二部分；以及

设置在所述第一部分与所述第二部分之间的蚀刻停止层；

将半导体管芯安装在所述半导体管芯安装位点处；

使用模制化合物密封所述导电互连件和半导体管芯；

暴露所述导电互连件的第一端；

移除所述临时载体以暴露与所述导电互连件的所述第一端相反的所述导电互连件的第二端；以及

蚀刻所述导电互连件以使所述导电互连件的所述第二端相对于所述模制化合物凹进。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

形成焊料的所述蚀刻停止层；以及

在蚀刻所述导电互连件的所述第一部分以暴露每个导电互连件的所述蚀刻停止层之后，使所述焊料蚀刻停止层回流以形成凸块。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括将所述蚀刻停止层形成为保留在所述导电互连件的所述第二部分上方的表面饰面。