[发明专利]热固性树脂膜和第2保护膜形成膜的套件、及其形成方法

权利要求书

1.一种热固性树脂膜和第2保护膜形成膜的套件，其粘贴在半导体晶片上使用，其中，

所述热固性树脂膜和第2保护膜形成膜的套件包含热固性树脂膜及半导体晶片的第2保护膜形成膜，所述热固性树脂膜用于粘贴在所述半导体晶片中具有多个凸块的表面并通过进行加热固化而在所述表面形成第1保护膜，所述第2保护膜形成膜粘贴于所述半导体晶片的背面，

所述热固性树脂膜及所述第2保护膜形成膜各自至少包含热固性成分，

通过差示扫描量热法(DSC)测定的所述热固性树脂膜的放热开始温度与通过差示扫描量热法测定的所述第2保护膜形成膜的放热开始温度相同，或者为高于所述第2保护膜形成膜的放热开始温度的温度，

另外，通过差示扫描量热法测定的所述热固性树脂膜及所述第2保护膜形成膜的放热峰值温度分别为100～200℃，所述热固性树脂膜与所述第2保护膜形成膜的所述放热峰值温度之差小于35℃。

2.根据权利要求1所述的热固性树脂膜和第2保护膜形成膜的套件，其中，所述热固性树脂膜的线膨胀系数为5×10^-6/℃～80×10^-6/℃，且所述热固性树脂膜的线膨胀系数与所述第2保护膜形成膜的线膨胀系数之差小于35×10^-6/℃。

3.根据权利要求1或2所述的热固性树脂膜和第2保护膜形成膜的套件，其中，所述热固性树脂膜以配备于第1支撑片的一侧表面上的第1保护膜形成用片的形式包含在所述热固性树脂膜和第2保护膜形成膜的套件中，并且，所述第2保护膜形成膜以配备于第2支撑片的一侧表面上的第2保护膜形成用片的形式包含在所述热固性树脂膜和第2保护膜形成膜的套件中。

4.一种半导体晶片用第1保护膜的形成方法，其是在半导体晶片中具有电路及多个凸块的表面形成保护该多个凸块的第1保护膜的半导体晶片用第1保护膜的形成方法，

该方法包括以下步骤：

层叠步骤，在背面侧粘贴有第2保护膜形成膜的所述半导体晶片的表面以包覆所述多个凸块的方式粘贴热固性树脂膜，从而形成依次层叠有所述第2保护膜形成膜、所述半导体晶片及所述热固性树脂膜的层叠体；以及

固化步骤，通过对所述层叠体进行加热而使所述多个凸块穿透所述热固性树脂膜，通过使所述热固性树脂膜加热固化而对所述多个凸块各自之间进行填埋，从而在所述半导体晶片的表面形成所述第1保护膜，

其中，

通过差示扫描量热法(DSC)测定的所述热固性树脂膜的放热开始温度与通过差示扫描量热法测定的所述第2保护膜形成膜的放热开始温度相同，或者为高于所述第2保护膜形成膜的放热开始温度的温度，

另外，通过差示扫描量热法测定的所述热固性树脂膜及所述第2保护膜形成膜的放热峰值温度分别为100～200℃，所述热固性树脂膜与所述第2保护膜形成膜的所述放热峰值温度之差为小于35℃的关系。