[发明专利]半导体系统中的湿度控制有效
申请号: | 201680058049.X | 申请日: | 2016-10-05 |
公开(公告)号: | CN108431941B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 卢茨·瑞布斯道克 | 申请(专利权)人: | 布鲁克斯CCS股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 德国拉尔*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 系统 中的 湿度 控制 | ||
1.一种用于形成具有低湿度水平(115)的用于光罩载体的环境的方法,其中光罩载体包括外容器(1880)和内容器(1885),其中提供用于存储多个外容器(1880)的存储腔室(1801),提供用于存储多个保护性容器(1846)的存储腔室(1806),其中每个保护性容器(1846)被提供用于存储多个内容器(1885),所述方法包括步骤:
使用第一湿度传感器(1815)测量作为第一环境的用于存储所述多个保护性容器(1846)的所述存储腔室(1806)内部的第一湿度水平(115),以将第一环境保持在湿度设定点(140)附近的预定区间内或湿度设定点(140)处;
向第一环境提供第一净化气体(1825),直到第一环境中的第一湿度水平(115)降低到湿度设定点(140)附近的预定区间内的值或湿度设定点(140);
使用第二湿度传感器(1816)测量作为第二环境的所述多个保护性容器(1846)内部的第二湿度水平,其中所述第二环境在所述第一环境中形成;在所述第二环境中向所述保护性容器(1846)提供第二净化气体(1845),所述第二净化气体(1845)流过内容器(1885),然后再循环回到所述保护性容器(1846),直到第二环境中的第二湿度水平降低到湿度设定点(140)附近的预定区间内的值或降低到湿度设定点(140);
使用第三湿度传感器(1810)测量作为第三环境的用于存储所述多个外容器(1880)的所述存储腔室(1801)内部的第三湿度水平,以将所述第三环境保持在湿度设定点(140)附近的预定区间内或湿度设定点(140)处;
向所述第三环境提供第三净化气体(1820),直到所述第三湿度水平(115)降低到到湿度设定点(140)附近的预定区间内的值或降低到湿度设定点(140)。
2.如权利要求1所述的方法,其中第一环境中的第一净化气体(1825)被再循环,以及其中第二环境中的第二净化气体(1845)被再循环。
3.如权利要求2所述的方法,其中借助于连接到第一净化气体(1825)的再循环的气流的第一湿度降低组件(1875)降低第一净化气体(1825)的返回气流中的第一湿度水平(115),以及其中借助于连接到第二净化气体(1845)的再循环的气流的第二湿度降低组件(1876)降低第二净化气体(1845)的返回气流中的第二湿度水平。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法,其中当第一湿度水平(115)超过预定阈值时,将新鲜干燥气体(1835)添加到第一净化气体(1825)。
5.如权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,从以下之一测量第一湿度水平(115):
第一环境中的第一净化气体,或
所提供的第一净化气体的排气中的第一净化气体,或
压力降低的速率。
6.如权利要求1至3中任一项所述的方法,其中第一环境在用于存储容器(1046)的堆叠器(1005)内形成。
7.如权利要求1至3中任一项所述的方法,包括步骤:
将所述多个内容器(1885)存储在所述保护性容器(1846)内部,
将所述保护性容器(1846)存储在用于存储所述多个保护性容器(1846)的所述存储腔室(1806)内部,
清洁用于存储所述多个保护性容器(1846)的所述存储腔室(1806)以移除表面污染物(200);
通过抽空用于存储所述多个保护性容器(1846)的所述存储腔室(1806)并向用于存储所述多个保护性容器(1846)的所述存储腔室(1806)供给第一净化气体,从用于存储所述多个保护性容器(1846)的所述存储腔室(1806)的内部除去湿气,直到第一湿度水平(115)达到湿度设定点(140)附近的预定区间内的值或湿度设定点(140)。
8.如权利要求7所述的方法,其中用于存储所述多个保护性容器(1846)的所述存储腔室(1806)中的低湿度条件被维持预定的时间段(220)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造