[发明专利]具有近似锯齿波脉冲的RF功率传输有效
申请号: | 201680054823.X | 申请日: | 2016-07-19 |
公开(公告)号: | CN108028167B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 川崎胜正;S·F·秀吉;J·斐;D·清水 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H05H1/46;H03K4/08 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 金红莲;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 近似 锯齿 脉冲 rf 功率 传输 | ||
1.一种使用多电平脉冲RF功率来操作等离子体增强基板处理系统的方法,包含以下步骤:
提供第一多电平RF功率波形到处理腔室,所述第一多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、和第三脉冲持续时间期间的第三功率电平;
在第一延迟周期之后,提供第二多电平RF功率波形到所述处理腔室,所述第二多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、和第三脉冲持续时间期间的第三功率电平;以及
在第二延迟周期之后,提供第三多电平RF功率波形到所述处理腔室,所述第三多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、和第三脉冲持续时间期间的第三功率电平。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述第一多电平RF功率波形与所述第二多电平RF功率波形同步。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述第一多电平RF功率波形的所述第一功率电平是高功率电平,所述第一多电平RF功率波形的所述第二功率电平是低于所述第一多电平RF功率波形的所述第一功率电平的低功率电平,而所述第一多电平RF功率波形的所述第三功率电平是零功率电平。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述第二多电平RF功率波形的所述第一功率电平是高功率电平,所述第二多电平RF功率波形的所述第二功率电平是低于所述第二多电平RF功率波形的所述第一功率电平的低功率电平,而所述第二多电平RF功率波形的所述第三功率电平是零功率电平。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述第一多电平RF功率波形与所述第三多电平RF功率波形同步。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述第一多电平RF功率波形、所述第二多电平RF功率波形、和所述第三多电平RF功率波形同步。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述第一、第二、和第三多电平RF功率波形中的每一个的所述第一、第二、和第三功率电平中的一个是零功率电平。
8.如权利要求1所述的方法,其中施加所述第一多电平RF功率波形的所述第一、第二、和第三功率电平中的每一个的持续时间彼此不同。
9.如权利要求1所述的方法,其中施加所述第二多电平RF功率波形的所述第一、第二、和第三功率电平中的每一个的持续时间彼此不同。
10.如权利要求1所述的方法,其中施加所述第三多电平RF功率波形的所述第一、第二、和第三功率电平中的每一个的持续时间彼此不同。
11.如权利要求1所述的方法,其中所述第一多电平RF功率波形是源RF信号,而所述第二与第三多电平RF功率波形是RF偏压信号。
12.如权利要求1所述的方法,其中所述第一延迟周期在10μs至1ms之间。
13.如权利要求1所述的方法,其中所述第二延迟周期在10μs至1ms之间。
14.一种等离子体增强基板处理系统,包含:
第一RF产生器,被配置成提供第一多电平RF功率波形到处理腔室,所述第一多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、和第三脉冲持续时间期间的第三功率电平;
第二RF产生器,被配置成在第一延迟周期之后,提供第二多电平RF功率波形到所述处理腔室,所述第二多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、和第三脉冲持续时间期间的第三功率电平;以及
第三RF产生器,被配置为在第二延迟周期之后,提供第三多电平RF功率波形到所述处理腔室,所述第三多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、和第三脉冲持续时间期间的第三功率电平。
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