[发明专利]用于无电金镀敷的镀浴组合物和沉积金层的方法在审
申请号: | 201680052427.3 | 申请日: | 2016-09-16 |
公开(公告)号: | CN108026642A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 罗伯特·施普伦曼;克里斯蒂安·内特利希;萨布里纳·格伦诺瓦;德米特罗·沃隆申;鲍里斯·亚历山大·詹森;东尼·劳坦 | 申请(专利权)人: | 埃托特克德国有限公司 |
主分类号: | C23C18/16 | 分类号: | C23C18/16;C23C18/18;C23C18/44 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王潜;郭国清 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 无电金镀敷 组合 沉积 方法 | ||
含水无电金镀浴以及金沉积方法,所述含水无电金镀浴包含至少一种金离子源和至少一种用于金离子的还原剂,特征在于所述含水无电金镀浴包含至少一种式(I)的乙二胺衍生物作为镀敷增强剂化合物,其中残基R
技术领域
本发明涉及用于将金层无电镀敷到基底上的含水无电金镀浴组合物以及沉积金的方法。所述镀浴特别适合于制造印刷电路板、IC基底、半导体器件、由玻璃制成的内插板(interposer)等。
背景技术
在电子元件制造中和半导体工业中,金层是最引人兴趣的。在印刷电路板、IC基底、半导体器件等的制造中,金层经常被用作可焊接和/或可引线接合的表面。通常,它们在焊接和引线接合之前用作最终表面处理(final finish)。为了在铜线和与其接合的引线之间提供具有足够的导电性和坚固性的电连接,同时为引线接合提供良好的强度,存在本领域常规使用的多种层组装。其中,存在无电镍无电金(ENIG)、无电镍无电钯浸金(ENEPIG)、直接浸金(DIG)、无电钯浸金(EPIG)和无电钯自催化金(EPAG)。尽管这些技术已经确立了有些时日,但仍有许多挑战尚未解决。这样的挑战是放置在金和铜线之间的镍层的侵蚀(镍侵蚀)以及金镀浴的稳定性不足,后者由于所述镀浴的成本而是非常不希望的。还有,非常希望以足够的镀敷速率沉积金层以经济地运行制造过程。金层的另一种希望的性质是光学外观应该是柠檬黄,因为金层的变色是不可接受的。
由于目前电子元件的尺寸很小,所以不可能使用需要与基底电连接的电解工艺。因此,使用无电金属沉积工艺(无电镀敷)。无电镀敷一般描述不使用外部电流源来还原金属离子的方法。使用外部电流源的镀敷工艺通常被描述为电解镀敷或电流镀敷方法。非金属表面可被预处理以使它们接受或催化金属沉积。全部或选定部分的表面可被适当地预处理。无电金属浴的主要组分是金属盐、还原剂和作为任选成分的络合剂、pH调节剂和添加剂例如稳定剂。络合剂(本领域中也称为螯合剂)用于螯合待沉积的金属并防止所述金属从溶液中沉淀(即作为氢氧化物等)。螯合金属致使所述金属可被还原剂利用,还原剂将所述金属离子转化为金属形式。
金属沉积的另一种形式是浸镀。浸镀是既不利用外部电流源也不利用化学还原剂的另一种金属沉积。机制依靠用存在于浸镀溶液中的金属离子取代来自下面基底的金属。这是浸镀的一个明显的缺点,因为沉积较厚的层通常受到层孔隙率的限制。
在大多数情况下,无电金镀浴使用一种或两种类型的无电镀敷。即使还原剂已被添加到镀浴中,也可能发生浸渍型镀敷,尽管比例显著降低。
在本发明的上下文中,无电镀敷应被(主要)理解为借助于化学还原剂(在本文中被称为“还原剂”)的自催化沉积。
US 2012/0129005A1公开了包含水溶性金化合物和亚烷基二胺、二亚烷基三胺等的无电金镀浴。然而,这样的金镀敷溶液缺乏足够的稳定性和镀敷速率,因此不适用于工业过程(参见实施例4)。
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