[发明专利]碳化硅单晶、碳化硅单晶晶片、碳化硅单晶外延晶片、电子器件

权利要求书

1.一种碳化硅单晶，其是存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)的碳化硅单晶(2、3)，

所述贯通位错中，所述巴尔格矢量与所述位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm²以下，所述角度大于40°的所述贯通位错的密度为30个/cm²以下。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶，其中，所述角度在20°以内的所述贯通位错的密度为300个/cm²以下，所述角度大于20°的所述贯通位错的密度为30个/cm²以下。

3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶，其中，所述角度在7°以内的所述贯通位错的密度为300个/cm²以下，所述角度大于7°的所述贯通位错的密度为30个/cm²以下。

4.一种碳化硅单晶晶片，其是存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)的碳化硅单晶晶片(101)，

所述贯通位错中，所述巴尔格矢量与所述位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm²以下，所述角度大于40°的所述贯通位错的密度为30个/cm²以下。

5.根据权利要求4所述的碳化硅单晶晶片，其中，所述角度在20°以内的所述贯通位错的密度为300个/cm²以下，所述角度大于20°的所述贯通位错的密度为30个/cm²以下。

6.根据权利要求4所述的碳化硅单晶晶片，其中，所述角度在7°以内的所述贯通位错的密度为300个/cm²以下，所述角度大于7°的所述贯通位错的密度为30个/cm²以下。

7.一种碳化硅单晶外延晶片，其具备：

碳化硅单晶基板(2)，和

形成在所述碳化硅单晶基板上的外延生长层(3)；

所述碳化硅单晶基板及所述外延生长层中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)；

所述贯通位错中，所述巴尔格矢量与所述位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm²以下，所述角度大于40°的所述贯通位错的密度为30个/cm²以下。

8.根据权利要求7所述的碳化硅单晶外延晶片，其中，所述角度在20°以内的所述贯通位错的密度为300个/cm²以下，所述角度大于20°的所述贯通位错的密度为30个/cm²以下。

9.根据权利要求7所述的碳化硅单晶外延晶片，其中，所述角度在7°以内的所述贯通位错的密度为300个/cm²以下，所述角度大于7°的所述贯通位错的密度为30个/cm²以下。

10.一种电子器件，其具备碳化硅单晶基板(2)，所述碳化硅单晶基板(2)存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)；

所述碳化硅单晶基板中，在所述贯通位错中，所述巴尔格矢量与所述位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm²以下，所述角度大于40°的所述贯通位错的密度为30个/cm²以下。