[发明专利]半导体装置、半导体集成电路以及负载驱动装置有效
| 申请号： | 201680045783.2 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107851583B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 池谷克己;大岛隆文 | 申请（专利权）人： | 日立汽车系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 集成电路 以及 负载 驱动 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
晶体管层，其二维状地配置有具有输入部、输出部和控制部的多个晶体管；
多个布线层，其用于将所述多个晶体管的所述输入部电连接到输入端子，将所述多个晶体管的所述输出部电连接到输出端子；以及
多个层间连接导体，其分别将所述多个布线层以及所述晶体管层之间连接，
所述多个布线层具有第1布线层以及第2布线层，所述第1布线层沿着规定的排列方向排列有连接到所述输入端子的至少1个输入侧布线层以及连接到所述输出端子的至少1个输出侧布线层，所述第2布线层设置于比所述第1布线层更靠所述晶体管层侧的位置，
所述多个层间连接导体具有将所述第2布线层与所述多个晶体管的所述输入部以及所述输出部连接的多个第1层间连接导体，
越接近所述输入侧布线层与所述输出侧布线层的边界，则所述第1层间连接导体的电阻值越高。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个第1层间连接导体的电阻值至少根据所述第2布线层的布线长度而变化。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个层间连接导体具有所述多个第1层间连接导体、以及将所述第1布线层与所述第2布线层连接的第2层间连接导体，
所述第2布线层的布线长度以所述第2层间连接导体的位置作为起点。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1布线层沿着所述排列方向交替地排列有2个所述输入侧布线层和1个所述输出侧布线层、或者1个所述输入侧布线层和2个所述输出侧布线层，
在配置于2个所述输入侧布线层之间的1个所述输出侧布线层处，越接近与所述排列方向正交的中心线，则所述第1层间连接导体的电阻值越低，或者在配置于2个所述输出侧布线层之间的1个所述输入侧布线层处，越接近与所述排列方向正交的中心线，则所述第1层间连接导体的电阻值越低。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
通过多个连接导体分别构成所述多个第1层间连接导体，
所述多个第1层间连接导体的电阻值根据构成各第1层间连接导体的所述连接导体的分布密度而变化。
6.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1布线层的布线电阻比所述第2布线层的布线电阻低。
7.一种半导体集成电路，其特征在于，
所述半导体集成电路是将权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置的至少一个安装于同一半导体芯片而成的。
8.一种负载驱动装置，其特征在于，
将权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置作为开关元件，对所述开关元件的控制部施加电压，驱动连接于所述开关元件的负载。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
