[发明专利]半导体部件制造用膜

说明书

本发明提供能够共通地进行伴随温度变化的评价工序、单片化工序、拾取工序的半导体部件制造用膜、半导体部件的制造方法、半导体部件以及评价方法。即，半导体部件制造用膜1具备基层11和设于其一面侧的粘着材层12，基层11的160℃时的弹性模量E’(160)与‑40℃时的弹性模量E’(‑40)之比R_E(＝E’(160)/E’(‑40))为R_E≥0.01，并且E’(‑40)为10MPa以上且小于1000MPa。本方法具备：将粘着材层12粘贴在形成有电路的半导体晶片的背面的工序、将半导体晶片进行单片化而得到半导体部件的工序、以及将半导体部件从粘着材层12分离的拾取工序，在拾取工序前，具备对半导体晶片或半导体部件进行评价的工序。

技术领域

本发明涉及半导体部件制造用膜和半导体部件的制造方法、以及电子部件制造用膜和电子部件的制造方法。进一步详细而言，涉及：在由半导体晶片制造半导体部件时粘贴于半导体晶片的背面而利用的半导体部件制造用膜和半导体部件的制造方法、以及在由阵列状电子部件制造电子部件时粘贴于阵列状电子部件的背面而利用的电子部件制造用膜和电子部件的制造方法。

背景技术

近年来，以下方法被采用：将形成有电路的晶片进行单片化后，对所得的半导体部件进行评价(检查)，仅将评价合格的半导体部件再配置于载体上，然后，使用密封剂以阵列状进行密封，从而一并制造半导体部件，实现高的成品率。这样的制造方法公开于下述专利文献1(参照图3A-图3E、[0028]和[0029])。

另外，作为将形成有电路的晶片进行单片化时可利用的粘着膜，公开了下述专利文献2。进一步，作为密封时可利用的粘着膜，公开了下述专利文献3。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-287235号公报

专利文献2：日本特开2007-005436号公报

专利文献3：日本特开2010-278065号公报

发明内容

发明要解决的课题

上述专利文献1中，记载了如下概要：在能够剥离的粘接带的粘接部上，以彼此具有充分间隙的方式配置已完成初期阶段评价的优异的小晶片(die)(将晶片进行单片化而得到的半导体部件)。然而，对于具体利用怎样的机械材料能够将其实现，并未提及。上述方法中，作为“能够剥离的粘接带”，可以利用上述专利文献3所公开的粘着膜。

另一方面，作为其以前的工序，例如，可以按照(1)的步骤进行：将半导体晶片(单片化前)置于专用托盘，以晶片形态进行评价后，在已完成评价的晶片背面(非电路面)粘贴上述专利文献2所公开的粘着膜，然后，将晶片进行单片化(切割)而制成半导体部件，从粘着膜拾取半导体部件后，仅将评价合格的半导体部件再配置于专利文献3所公开的粘着膜上。

另外，例如，可以按照(2)的步骤进行：在评价前的半导体晶片(单片化前)的背面(非电路面)粘贴上述专利文献2所公开的粘着膜，然后，将半导体晶片进行单片化(切割)而制成半导体部件，从粘着膜拾取半导体部件后，将半导体部件再配置于专用托盘并进行评价后，仅将评价合格的半导体部件再配置于专利文献3所公开的粘着膜上。

不管是哪个，上述(1)和(2)的步骤中，都存在需要进行在多个粘着膜间重新贴上半导体部件的操作这样的课题。

进一步，上述检查中，有时实施如下评价：评价在加温、冷却的环境下半导体晶片、半导体部件是否正常运转的工作评价；进行热应力的负荷而实施加速评价。即，在一个半导体晶片上形成非常多的半导体部件之后，进行单片化而成为半导体部件。关于该半导体部件，已知：在测定其故障率时形成被称为所谓故障率曲线的曲线，使其实际运转时在早期发生的“初期故障”的比例较高。因此，采用如下方法：不将担心初期故障的半导体部件带入后工序，而是在更前段的工序中排除，从而提高最终制品的成品率。