[发明专利]半导体部件制造用膜有效

专利信息
申请号: 201680036275.8 申请日: 2016-06-14
公开(公告)号: CN107851602B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 林下英司 申请(专利权)人: 三井化学东赛璐株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/301;C09J7/25;C09J201/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 金鲜英;李宏轩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 部件 制造
【权利要求书】:

1.一种半导体部件制造用膜,其特征在于,是在半导体部件的制造方法中使用的半导体部件制造用膜,

具备基层和设于所述基层的一面侧的粘着材层,

所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE即E’(160)/E’(-40)为RE≥0.01,并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。

2.根据权利要求1所述的半导体部件制造用膜,所述基层包含热塑性聚酯系弹性体和/或热塑性聚酰胺系弹性体。

3.根据权利要求1所述的半导体部件制造用膜,所述基层的厚度为50μm以上200μm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体部件制造用膜,所述粘着材层的厚度为1μm以上40μm以下。

5.根据权利要求1所述的半导体部件制造用膜,所述粘着材层的依据JIS Z0237测定的粘着力为0.1~10N/25mm。

6.一种半导体部件的制造方法,其特征在于,具备:在将半导体部件制造用膜的粘着材层粘贴在形成有电路的半导体晶片的背面的状态下,将所述半导体晶片进行单片化而得到半导体部件的单片化工序;以及

将所述半导体部件从所述粘着材层分离的拾取工序;

并且,在所述拾取工序前,具备在0℃以下或100℃以上的温度区域对所述半导体晶片或所述半导体部件进行评价的评价工序;

所述半导体部件制造用膜具有基层和设于所述基层的一面侧的所述粘着材层,

所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE即E’(160)/E’(-40)为RE≥0.01,并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。

7.根据权利要求6所述的半导体部件的制造方法,所述基层包含热塑性聚酯系弹性体和/或热塑性聚酰胺系弹性体。

8.根据权利要求6所述的半导体部件的制造方法,所述基层的厚度为50μm以上200μm以下。

9.根据权利要求6所述的半导体部件的制造方法,所述粘着材层的厚度为1μm以上40μm以下。

10.根据权利要求6所述的半导体部件的制造方法,所述粘着材层的依据JIS Z0237测定的粘着力为0.1~10N/25mm。

11.一种电子部件制造用膜,其特征在于,是在电子部件的制造方法中使用的电子部件制造用膜,

具备基层和设于所述基层的一面侧的粘着材层,

所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE即E’(160)/E’(-40)为RE≥0.01,并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。

12.根据权利要求11所述的电子部件制造用膜,所述基层包含热塑性聚酯系弹性体和/或热塑性聚酰胺系弹性体。

13.根据权利要求11所述的电子部件制造用膜,所述基层的厚度为50μm以上200μm以下。

14.根据权利要求11所述的电子部件制造用膜,所述粘着材层的厚度为1μm以上40μm以下。

15.根据权利要求11所述的电子部件制造用膜,所述粘着材层的依据JIS Z0237测定的粘着力为0.1~10N/25mm。

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