[发明专利]具有焊接到管芯或基板的重分布层的高纵横比互连的集成电路封装及对应制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年5月21日提交的题为“High Aspect Ratio Interconnect for a Wafer Level Package and/or Integrated Device Package(用于晶片级封装和/或集成器件封装的高纵横比互连)”的美国临时申请No.62/164,960以及于2015年8月26日提交的题为“High Aspect Ratio Interconnect for Wafer Level Package(WLP)And Integrated Circuit(IC)Package(用于晶片级封装(WLP)和集成电路(IC)封装的高纵横比互连)”的美国非临时申请No.14/836,501的优先权，其中上述两项申请均通过援引明确纳入于此。

背景

领域

各种特征涉及集成电路(IC)封装，尤其涉及用于晶片级封装和/或集成电路(IC)封装的高纵横比互连。

背景

图1解说了封装100(例如，集成电路(IC)封装)，该封装100包括第一管芯102和封装基板106。封装基板106包括电介质层160和多个互连162。封装基板106是层压基板。多个互连162包括迹线、焊盘和/或通孔。第一管芯102(其可以是裸管芯)通过第一多个焊球112耦合到封装基板106。封装基板106通过第二多个焊球116耦合到印刷电路板(PCB)108。

通常，焊球具有大约1:1的宽度与高度纵横比。由于焊球的大小和纵横比，因此使用焊球(例如，焊球116)将封装100耦合到印刷电路板(PCB)108严重限制了封装100与印刷电路板(PCB)108之间可以存在多少连接。由于焊球占用如此多的空间，因此增加封装100与印刷电路板(PCB)108之间的连接数目的唯一方式是增加封装100的大小，这是不理想的，因为存在对具有更优的形状因子(例如，更小的形状因子)、而同时满足移动计算设备和/或可穿戴计算设备的需求和/或要求的封装的持续需求。

图2解说了另一封装200(例如，晶片级封装)的剖面图。封装200包括基板201、若干下金属和下电介质层202、焊盘204、钝化层206、第一绝缘层208、第一金属层210、第二绝缘层212、以及凸块下金属化(UBM)层214。焊盘204、第一金属层210和UBM层214是导电材料(例如，铜)。图2还解说了封装200上的焊球216。具体而言，焊球216耦合到UBM层214。焊球216具有大约1:1的宽度与高度纵横比，这对于提供封装200与印刷电路板之间的高密度连接是不理想的。具体而言，焊球216相对较大的大小限制了焊球之间的间距，并且由此限制了封装200的高密度连接。

因此，存在对具有改善的连接和改善的形状因子、而同时满足移动计算设备和/或可穿戴计算设备的需求和/或要求的封装(例如，晶片级封装)的需求。

概述

各种特征涉及用于晶片级封装和/或集成电路(IC)封装的高纵横比互连。

一个示例提供了一种封装，所述封装包括管芯、耦合到所述管芯的重分布部分、耦合到所述封装的所述重分布部分的第一高纵横比(HAR)互连，其中所述第一高纵横比(HAR)互连包括大约至少1:2的宽度与高度比，以及耦合到所述第一高纵横比(HAR)互连和所述重分布部分的第一焊料互连。

另一示例提供了一种器件，所述器件包括印刷电路板(PCB)以及耦合到所述印刷电路板(PCB)的封装。所述封装包括管芯、耦合到所述管芯的重分布部分、耦合到所述封装的所述重分布部分和所述印刷电路板(PCB)的第一高纵横比(HAR)互连，其中所述第一高纵横比(HAR)互连包括大约至少1:2的宽度与高度比，以及耦合到所述第一高纵横比(HAR)互连和所述重分布部分的第一焊料互连。所述器件包括耦合到所述第一高纵横比(HAR)互连和所述印刷电路板(PCB)的第二焊料互连。

另一示例提供了一种用于制造封装的方法。所述方法提供管芯。所述方法在所述管芯上形成重分布部分。所述方法在所述重分布部分上形成第一焊料互连。所述方法使用所述第一焊料互连将第一高纵横比(HAR)互连耦合到所述封装的所述重分布部分，其中所述第一高纵横比(HAR)互连包括大约至少1:2的宽度与高度比。