[发明专利]压接型半导体装置

权利要求书

1.一种压接型半导体装置，其中，

具备压接型半导体元件和按压所述压接型半导体元件的按压部，

所述压接型半导体元件包括：

3端子型的第1半导体芯片，具有第1电极、第2电极以及第3电极；

2端子型的第2半导体芯片，具有第4电极和第5电极；

所述第1半导体芯片的所述第1电极上的第1中间电极；

所述第2半导体芯片的所述第4电极上的第2中间电极；

第1共同电极板以及第2共同电极板，夹持所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片、所述第1中间电极以及所述第2中间电极；以及

筒体，机械连接于所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板，

所述筒体、所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板对所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片、所述第1中间电极以及所述第2中间电极进行气密密封，

所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板一边被所述按压部向所述第1半导体芯片以及所述第2半导体芯片按压，一边被电连接于所述第1半导体芯片以及所述第2半导体芯片，

所述第2半导体芯片与所述第1半导体芯片电并联连接，

所述第1中间电极具有与所述第1半导体芯片的所述第1电极对置的第1表面以及与所述第1表面相反一侧的第2表面，

所述第2中间电极具有与所述第2半导体芯片的所述第4电极对置的第3表面以及与所述第3表面相反一侧的第4表面，

所述第2中间电极具有贯通所述第3表面与所述第4表面之间的1个以上的第2贯通孔，

所述第1共同电极板以及所述第2半导体芯片封闭所述1个以上的第2贯通孔，

所述1个以上的第2贯通孔与由所述筒体、所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板气密密封的空间流体分离。

2.根据权利要求1所述的压接型半导体装置，其中，

所述1个以上的第2贯通孔延伸的方向相对于所述第4电极的法线倾斜。

3.一种压接型半导体装置，其中，

具备压接型半导体元件和按压所述压接型半导体元件的按压部，

所述压接型半导体元件包括：

3端子型的第1半导体芯片，具有第1电极、第2电极以及第3电极；

2端子型的第2半导体芯片，具有第4电极和第5电极；

所述第1半导体芯片的所述第1电极上的第1中间电极；

所述第2半导体芯片的所述第4电极上的第2中间电极；

第1共同电极板以及第2共同电极板，夹持所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片、所述第1中间电极以及所述第2中间电极；以及

筒体，机械连接于所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板，

所述筒体、所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板对所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片、所述第1中间电极以及所述第2中间电极进行气密密封，

所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板一边被所述按压部向所述第1半导体芯片以及所述第2半导体芯片按压，一边被电连接于所述第1半导体芯片以及所述第2半导体芯片，

所述第2半导体芯片与所述第1半导体芯片电并联连接，

所述第1中间电极具有与所述第1半导体芯片的所述第1电极对置的第1表面以及与所述第1表面相反一侧的第2表面，

所述第2中间电极具有与所述第2半导体芯片的所述第4电极对置的第3表面以及与所述第3表面相反一侧的第4表面，

所述第2中间电极具有贯通所述第3表面与所述第4表面之间的1个以上的第2贯通孔，

所述1个以上的第2贯通孔与由所述筒体、所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板气密密封的空间流体分离，

所述压接型半导体元件在所述第2中间电极与所述第1共同电极板之间还包括具有导电性的第2连接部件，

所述第2连接部件以及所述第2半导体芯片封闭所述1个以上的第2贯通孔。

4.根据权利要求3所述的压接型半导体装置，其中，

所述1个以上的第2贯通孔延伸的方向相对于所述第4电极的法线倾斜。

5.根据权利要求3所述的压接型半导体装置，其中，

所述第2连接部件具有第2凸部，该第2凸部插入于所述1个以上的第2贯通孔中的至少1个第2贯通孔。