[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

半导体装置的制造方法具备以下工序：准备第1基板(10)；在上述第1基板的一面(10a)形成Ti层(40b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第1焊盘部(17)；准备第2基板(20)；在上述第2基板的一面(20a)形成Ti层(41b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第2焊盘部(24)；通过将上述第1基板及上述第2基板真空退火，将形成在上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的上述Ti层上的氧化膜除去，将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合。

关联申请的相互参照

本申请基于2015年2月10日提出的日本专利申请第2015－24321号主张优先权，这里引用其记载内容。

技术领域

本发明涉及第1基板和第2基板被接合且在第1基板与第2基板之间配置有传感部的半导体装置及其制造方法。

背景技术

以往，作为这种半导体装置，提出了具有检测加速度的传感部的结构(例如，参照专利文献1)。具体而言，在该半导体装置中，在第1基板与第2基板之间配置有检测加速度的传感部。此外，在第1基板形成有与传感部电连接的第1焊盘部，在第2基板的与第1焊盘部对置的部分形成有第2焊盘部。并且，这些第1焊盘部与第2焊盘部被接合而被电连接。另外，第1焊盘部及第2焊盘部由以铝为主成分的材料构成。

但是，在这样的半导体装置中，由于第1、第2焊盘部由以铝为主成分的材料构成，所以在第1、第2焊盘部的表面形成的氧化膜(自然氧化膜)非常坚固。并且，在将第1焊盘部与第2焊盘部接合时，为了将第1、第2焊盘部电连接而必须在除去了形成于第1、第2焊盘部的氧化膜的状态下进行接合，但为了将该氧化膜除去，在将第1、第2焊盘部接合前及接合时必须使温度非常高，或使接合时的载荷非常大。因此，通过设为这样的状态，传感部的特性有可能变化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013－50320号公报

发明内容

本发明的目的在于，提供能够抑制传感部的特性变化的半导体装置及其制造方法。

根据本发明的第一技术方案，是一种半导体装置的制造方法，上述半导体装置具备：第1基板，具有一面；第2基板，具有一面，以该一面与上述第1基板的一面对置的状态而与上述第1基板接合；传感部，配置在上述第1基板与上述第2基板之间；第1焊盘部，形成在上述第1基板的一面，与上述传感部电连接；以及第2焊盘部，形成在上述第2基板的一面，与上述第1焊盘部电连接；上述半导体装置的制造方法具备以下工序：准备上述第1基板；在上述第1基板的一面形成Ti层成为最表面的金属膜，通过将该金属膜布图而形成上述第1焊盘部；准备上述第2基板；在上述第2基板的一面形成Ti层成为最表面的金属膜，通过将该金属膜布图而形成上述第2焊盘部；通过将上述第1、第2基板进行真空退火，除去在上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的上述Ti层上形成的氧化膜；将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合。

由此，由于以使Ti层成为最表面的方式形成第1、第2焊盘部，所以通过进行真空退火，与形成在Al等的表面的氧化膜相比，氧化膜中的氧更容易进入到Ti层内，此外由于氧化膜较脆弱(容易被分解)，所以能够容易地将形成在Ti层的表面的氧化膜除去。因而，能够抑制将氧化膜除去时的工序影响到传感部，能够抑制传感部的特性变化。

根据本发明的第二技术方案，半导体装置具备：第1基板，具有一面；第2基板，具有一面，以该一面与上述第1基板的一面对置的状态而与上述第1基板接合；传感部，配置在上述第1基板与上述第2基板之间；第1焊盘部，形成在上述第1基板的一面，与上述传感部电连接；以及第2焊盘部，形成在上述第2基板的一面，与上述第1焊盘部电连接。此外，上述第1焊盘部、上述第2焊盘部为表面含有Ti的层，该包含Ti的层彼此被接合。