[实用新型]带有封闭空腔的芯片嵌入式封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种芯片封装结构，尤其是一种带有封闭空腔的芯片嵌入式封装结构。

背景技术

目前，芯片的封装通常采用打线（Wire bonding）或者倒装芯片（Flip-chip）的封装技术方案，尤其是表面波芯片（Surface Acoustic Wave Chip： SAW Chip），采用打线生产技术的表面波芯片封装器件外观尺寸较大。由于采用单颗芯片操作的生产方式，采用打线生产技术的表面波封装器件制作效率低，而且采用打线生产技术的表面波封装器件，通常使用金属密闭空腔技术，成本较高。采用倒装芯片技术的表面波封装器件，由于采用焊锡连接技术，工艺较为复杂，且容易发生虚焊的现象。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种带有封闭空腔的芯片嵌入式封装结构，该带有封闭空腔的芯片嵌入式封装结构成本较低、制造容易。

为实现上述实用新型目的，本实用新型提供一种带有封闭空腔的芯片嵌入式封装结构，包括：封装基板，具有相对设置的第一表面和第二表面，所述封装基板内部设置有至少一个用以容置芯片的开口或空腔；芯片，设置于所述开口或空腔内；封闭空腔，与所述芯片表面相邻或有共同边界面；封装材料，至少用以覆盖所述封装基板的第一表面、所述芯片以及填充所述开口或空腔内未被所述芯片占据的空间；重布线层，至少用于电气连接所述芯片和封装基板的线路层。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述封装结构还包括设置于所述封装基板第一表面上的模块对位标识，所述模块对位标识表面与封装基板第二表面分别对应所述封装基板的最高表面和最低表面。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述封装基板是IC载板/线路板、玻璃基板或陶瓷基板。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述芯片是芯片表面或芯片活性区域表面需要在无外物接触或是覆盖情况下正常工作的芯片。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述芯片是使用表面波SAW的功能性芯片。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述芯片是SAW滤波器芯片或SAW传感器芯片。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述封装材料是环氧塑封料。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述芯片具有活性区域，所述的封闭空腔与所述芯片的活性区域有共同边界。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述重布线层电气连接所述芯片的电极和封装结构的外部电极，所述封装结构的外部电极安置在芯片电极表面的正面的封装结构外部或是在芯片电极表面背面的封装结构外部。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述重布线层经过盲孔/埋孔电气延伸至所述封装结构的外部电极。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述封装结构还包括覆盖封装基板第二表面的绝缘/介电薄膜，所述绝缘/介电薄膜是光敏感的绝缘/介电薄膜。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述的绝缘/介电薄膜的上方是薄板/薄膜，所述薄板/薄膜的厚度小于1毫米。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述薄板/薄膜是PCB基板、封装载板、PET膜、聚酰亚胺膜、玻璃片或是陶瓷片。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述封装结构还包括至少覆盖封装结构最外层线路层的焊料掩膜和设置于所述焊料掩膜中的开口，所述焊料掩膜中的开口内的线路层形成所述封装结构对外电气连接的焊盘。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：本实用新型将芯片嵌入封装，封装器件更为轻薄。芯片与线路板的电气连接无需焊锡连接方案，而采用简洁的重布线(RDL)方案，工艺稳定和可靠性高。

附图说明

图1是本实用新型优选的第一实施方式中芯片嵌入式封装结构的示意图；

图2到图12是图1中芯片嵌入式封装结构的封装方法的工艺步骤图，其中：

图2是图1中芯片嵌入式封装结构的封装基板的机构示意图；

图3是图1中芯片嵌入式封装结构的芯片的安装示意图；

图4是图1中芯片嵌入式封装结构的芯片的安装后的封装结构示意图；

图5是图1中芯片嵌入式封装结构的芯片的安装后被覆盖封装材料的封装结构示意图；

图6是图5中的封装结构倒置后去除粘合层的示意图；

图7是图6中的封装结构的进行第一次重布线的示意图；

图8是图7中的封装结构在第一重布线层上覆盖第一积聚层的示意图；

图9是图8中的封装结构安装薄板的示意图；