[实用新型]直流‑直流转换电路的封装结构

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种直流-直流转换电路的封装结构。

【背景技术】

现有常见的DC-DC(direct current-direct current，直流-直流)转换电路的封装结构主要有两种封装形式：单芯片封装或多块集成电路。

对于单芯片封装来说，其存在芯片的成本高，以及输出功率不灵活，光罩投入大等缺点。

众所周知，采用单芯片封装的DC-DC转换电路通常包括控制电路与功率器件两部分，功率器件为MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor)，采用BCD工艺流片，通常光罩数量约有20层。集成电路圆片成本通常与光罩数量正比例相关。而该电路中，通常功率器件(输出管)的面积占到整个芯片面积的50％以上如果将上述芯片中的功率器件与控制电路分开(即多芯片方式)，则功率器件可以采用DMOS(Discrete Metal-Oxide-Silicon,分立型金属-氧化物-硅)工艺流片。而DMOS工艺的光罩数量通常只有7层，而且采用DMOS工艺流片的器件比采用BCD工艺流片的器件性能更好。一般估计，单芯片封装的DC-DC转换电路的芯片成本是多芯片封装的2倍左右。由此可知，单芯片封装存在芯片的成本高的问题。

采用单芯片封装的DC-DC转换电路由于成本面积固定，其最大的输出功率也固定。如果市场上有不同的输出功率的要求，需要设计不同的电路，增加了光罩的投资。如果采用多芯片封装的方式，针对不同的输出功率需求，控制芯片是一样的，只要选用不同的MOS管就可以了，而且MOS管是标准器件，市场上有多重规格供应。这样可以节约光罩投资。由此可知，单芯片封装还存在输出功率不灵活，光罩投入大的问题。

对于多块集成电路封装来说，其存在封装成本高、可靠性差和焊接成本高等缺点。

市面上也有将DC-DC控制芯片做成标准件，将MOS管也做成标准件，分别封装成成品电路的做法(即多块集成电路封装)。这种方法通常具有如下缺点：由于DC-DC控制芯片和MOS管需要单独封装，从而使封装成本比较高；零件的数量增加。对于一个系统来讲，零件数量的增加必然对应失效机率的增加；随着零件数量的增加，焊接数量相应增加，从而增加了系统的复杂性和体积。

因此，有必要提供一种新的封装结构来解决上述问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种直流-直流转换电路的封装结构，其不仅可以提高封装效率、简化PCB板的电路设计和外围焊接，而且还可以提高电路的可靠性，降低系统成本。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种直流-直流转换电路的封装结构，其包括引线框、直流-直流转换电路以及包覆所述引线框和直流-直流转换电路的封装体。引线框，其包括第一基岛、第二基岛以及设置于第一基岛和第二基岛周围的引脚；所述直流-直流转换电路包括直流-直流控制电路芯片，以及至少两个MOS管，其中，所述至少两个MOS管包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管均位于所述第一基岛的正面，且所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极均与所述第一基岛电连接；所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极分别与所述引线框的对应引脚电连接；直流-直流控制电路芯片，其位于所述第二基岛的正面，所述直流-直流控制电路芯片与第一MOS管、第二MOS管以及引线框的对应引脚电连接。

进一步的，所述引线框还包括第三基岛，所述直流-直流转换电路还包括第三MOS管和第四MOS管，所述第三MOS管和第四MOS管均位于所述第三基岛的正面，所述第三MOS管的漏极和第四MOS管的的漏极均与所述第三基岛电连接，所述第三MOS管的源极和所述第四MOS管的源极分别于所述引线框的对应引脚相连，所述直流-直流控制电路芯片的有关焊盘还与所述第三MOS管和第四MOS管电连接。

进一步的，每个MOS管的源极与引线框的多个对应引脚电连接，且该多个对应引脚连成一个整体作为对应MOS管的源极引出端。

进一步的，所述多个对应引脚通过打线或铝带连成一个整体。

进一步的，所述MOS管由DMOS工艺制得，每个MOS管是一个芯片。

进一步的，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极通过导电胶与第一基岛电连接；所述第三MOS管的漏极和第四MOS管的漏极通过导电胶与第三基岛电连接。

进一步的，所述第一MOS管和第三MOS管为PMOS晶体管；所述第二MOS管和第四MOS管为NMOS晶体管。

进一步的，第一基岛和第三基岛对称分布在第二基岛的两侧。