[发明专利]MOS电容及其形成方法有效
| 申请号： | 201611264809.0 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269861B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 吴健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 电容 及其 形成 方法 | ||
1.一种MOS电容，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括相互邻接的器件区和保护区；
位于所述器件区衬底上的栅极结构；
位于所述栅极结构两侧器件区衬底中的源漏掺杂区；
位于所述保护区衬底上的伪栅极结构；所述伪栅极结构横跨所述保护区鳍部，且所述伪栅极结构位于所述鳍部部分侧壁和顶部表面；
连接所述源漏掺杂区与所述伪栅极结构的导电结构；
在所述源漏掺杂区上施加电位，则所述伪栅极结构上也施加了相同的电位，且所述伪栅极结构上的电位为稳定的电位，进而使伪栅极结构与衬底之间的电压为恒定值；
所述MOS电容还包括：位于所述器件区衬底中的阱区或者连接所述栅极结构的栅极插塞；其中，当所述MOS电容包括所述阱区时，所述栅极结构位于所述阱区上；
所述阱区中具有阱离子，所述源漏掺杂区中具有掺杂离子，所述阱离子和掺杂离子为磷离子、砷离子、硼离子或BF2-离子。
2.如权利要求1所述的MOS电容，其特征在于，所述栅极结构两侧的源漏区相互电连接。
3.如权利要求1所述的MOS电容，其特征在于，所述导电结构包括：连接所述源漏掺杂区的源漏插塞，连接所述伪栅极结构的伪栅极插塞，连接所述伪栅极结构与所述源漏插塞的连接线。
4.如权利要求3所述的MOS电容，其特征在于，所述连接线的材料为铝或铜铝合金。
5.如权利要求3所述的MOS电容，其特征在于，所述伪栅极插塞的材料为铜或铝。
6.如权利要求3所述的MOS电容，其特征在于，分别连接所述栅极结构两侧的源漏掺杂区的源漏插塞通过所述连接线电连接。
7.一种MOS电容的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括相互邻接的器件区和保护区；
在所述器件区衬底上形成栅极结构；
在所述保护区衬底上形成伪栅极结构；所述伪栅极结构横跨所述保护区鳍部，且所述伪栅极结构位于所述鳍部部分侧壁和顶部表面；
在所述栅极结构两侧的器件区衬底中形成源漏掺杂区；
形成连接所述源漏掺杂区与所述伪栅极结构的导电结构；
在所述源漏掺杂区上施加电位，则所述伪栅极结构上也施加了相同的电位，且所述伪栅极结构上的电位为稳定的电位，进而使伪栅极结构与衬底之间的电压为恒定值；
所述方法还包括：形成连接所述栅极结构的栅极插塞；或者，所述方法还包括：在形成栅极结构之前，对所述器件区衬底进行离子注入，在所述器件区衬底中形成阱区；
所述阱区中具有阱离子，所述源漏掺杂区中具有掺杂离子，所述阱离子和掺杂离子为磷离子、砷离子、硼离子或BF2-离子。
8.如权利要求7所述的MOS电容的形成方法，其特征在于，所述导电结构包括：连接所述源漏掺杂区的源漏插塞，连接所述伪栅极结构的伪栅极插塞，连接所述伪栅极结构与所述源漏插塞的连接线；
形成所述导电结构的步骤包括：在所述器件区衬底和保护区衬底上形成介质层；分别在所述器件区和保护区介质层中形成接触孔，所述器件区接触孔暴露出所述源漏掺杂区，所述保护区接触孔暴露出所述伪栅极结构顶部表面；在所述器件区接触孔中形成源漏插塞；在所述保护区接触孔中形成伪栅极插塞；在所述介质层上形成连接线，所述连接线连接所述源漏掺插塞和所述伪栅极插塞。
9.如权利要求8所述的MOS电容的形成方法，其特征在于，分别连接所述栅极结构两侧的源漏掺杂区的源漏插塞通过所述连接线电连接。
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