[发明专利]超结半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201611250024.8 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108258045A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 钟圣荣;王荣华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超结结构 制备 超结半导体器件 衬底 产品出货 产品类型 产品使用 产品制备 客户需求 生产效率 制造周期 预制的 超结 存储 入库 | ||
1.一种超结半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供N型衬底；
在所述N型衬底上制备超结结构，并将所述超结结构入库存储；
获取预制的所述超结结构，在所述超结结构上进行表面DMOS的制备。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述N型衬底上制备超结结构，包括：
在所述N型衬底上层叠制备多个导电类型掺杂本体；
经过高温处理，以使所述多个导电类型掺杂本体内的不同杂质交替扩散。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述N型衬底上制备超结结构，还包括：
在顶层的所述导电类型掺杂本体上生长N型掺杂层。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，制备所述导电类型掺杂本体，包括：
生长N型外延层；
在所述N型外延层上印刷光刻胶，并利用光刻版对所述N型外延层进行光刻，以使所述N型外延层上构成设定的曝光图形；
在所述曝光图形内注入P型杂质，并去除光刻胶。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述N型衬底的厚度为500μm～700μm，电阻率为0.001Ω.cm～0.02Ω.cm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述N型衬底上制备超结结构，包括：
在所述N型衬底上生长N型外延层；
在所述N型外延层上生长氧化层；
在所述氧化层上印刷光刻胶，并利用光刻版对所述N型外延层进行光刻，以使N型外延层上构成设定的曝光图形；
对所述曝光图形进行深槽刻蚀；
在深槽内填充P型掺杂层，并对所述P型掺杂层的表面进行化学机械抛光处理。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述N型衬底上制备超结结构，还包括：
在所述N型外延层及所述P型掺杂层上生长N型掺杂层。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述对所述曝光图形进行深槽蚀刻，包括：
腐蚀所述曝光图形内的氧化层；
去除光刻胶；
通过硅刻蚀以形成所述深槽。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述深槽的深度为10μm～50μm。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述N型掺杂层的厚度为4μm～6μm。
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