[发明专利]一种芯片及其封装方法在审

专利信息
申请号: 201611248052.6 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106783643A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 陈峰;陆原 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/782;H01L23/31
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 孟金喆,胡彬
地址: 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 及其 封装 方法
【说明书】:

技术领域

发明实施例涉及芯片封装技术,尤其涉及一种芯片及其封装方法。

背景技术

随着电子产品多功能化和小型化的快速发展,高密度微电子组装技术逐渐成为电子产品的主要组装技术。为了配合电子产品尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展,芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展,因此芯片的封装技术也越来越重要。现有的芯片封装技术主要是晶圆级封装技术。

采用晶圆级封装技术封装芯片时,首先将晶片裁切为多个芯片,并需提供一承载片并在承载片上贴芯片粘结胶以作为临时键合结构;再采用贴片工艺将裁切好的多个芯片按照一定间隔倒装在粘结胶上,通过塑封工艺进行封装并在塑封完成后去掉承载片和芯片粘贴胶,最后进行布线和电路布局后切割为单个芯片产品。

显然,现有晶圆级封装技术在封装芯片过程中采用了临时键合工艺和贴片工艺,工艺流程多,成本高。

发明内容

本发明实施例提供一种芯片及其封装方法,以解决现有封装技术的工艺流程多且成本高等问题。

第一方面,本发明实施例提供了一种芯片封装方法,该芯片封装方法包括:

将晶片贴附在贴片膜上并将所述晶片切割为多个芯片,其中,所述晶片的正面与所述贴片膜贴合;

拉伸所述贴片膜以使贴附在所述贴片膜上的任意相邻两个所述芯片之间具有间隙;

在任意相邻两个所述芯片之间的间隙内放置导电体,并在所述多个芯片的背离所述贴片膜的第一表面上形成绝缘层且露出所述导电体;

去除所述贴片膜,并在所述多个芯片上布线且布线完成后切割以形成多个芯片产品。

进一步地,将晶片贴附在贴片膜上之前,还包括:

将所述贴片膜贴附在环形封装模具上,其中,所述环形封装模具的形状为方环形或圆环形。

进一步地,拉伸所述贴片膜的具体执行过程为:

采用张膜机拉伸所述贴片膜以使所述贴片膜撑开,使贴附在所述贴片膜上的任意相邻两个所述芯片之间具有间隙。

进一步地,任意相邻两个所述芯片之间的间隙大于或等于5微米且小于或等于5毫米。

进一步地,所述导电体为导电球,或者,所述导电体为带有通孔的基板且所述通孔中填充有导电材料,或者,所述导电体为导电膏。

进一步地,在任意相邻两个所述芯片之间的间隙内放置导电体的具体执行过程为:

采用球栅阵列封装技术、贴片工艺或印刷工艺在任意相邻两个所述芯片之间的间隙内放置导电体。

进一步地,在所述多个芯片的背离所述贴片膜的第一表面上形成绝缘层包括:

在所述多个芯片的第一表面上形成所述绝缘层,对所述绝缘层进行刻蚀处理并刻蚀至露出所述导电体的表面。

进一步地,所述绝缘层为感光树脂材料。

进一步地,在所述多个芯片上布线包括:

在所述多个芯片的第一表面上形成第一保护层并露出所述导电体,在该导电体上形成焊球;

在所述多个芯片的面向所述贴片膜的第二表面上形成第二保护层并在所述第二保护层中形成分别与所述电极和所述导电体对应设置的多个第一过孔,所述第一过孔的底部延伸至对应的所述电极的表面或延伸至对应的所述导电体的表面;

在所述第二保护层上形成导电图案,所述导电图案通过所述第一过孔与所述多个芯片的电极和导电体电连接;

在所述导电图案上形成第三保护层并在所述第三保护层中形成分别与所述电极和所述导电体对应设置的第二过孔且所述第二过孔的底部延伸至所述导电图案的表面;

在所述第二过孔中形成焊球,所述焊球通过所述第二过孔与所述导电图案电连接。

第二方面,本发明实施例还提供了一种芯片,该芯片采用如上所述的芯片封装方法进行封装,该芯片包括:

晶片,所述晶片贴附在贴片膜上且所述晶片包括多个芯片,其中,所述晶片的正面与所述贴片膜贴合;

贴附在所述贴片膜上的任意相邻两个所述芯片之间具有间隙;

位于任意相邻两个所述芯片之间的间隙内的导电体,以及位于所述多个芯片的背离所述贴片膜的第一表面上的绝缘层,所述绝缘层露出所述导电体;

去除所述贴片膜后,位于所述多个芯片上的布线层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611248052.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top