[发明专利]显示基板及其制备方法在审
申请号: | 201611228190.8 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106783883A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 杜生平;苏同上;黄正峰;杨玉;马云;郭稳;刘丽华 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 汪源,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板划分有非像素区域和彩色像素区域,所述显示基板的制备方法包括:
在衬底基板的上方且位于所述非像素区域内形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管的上方形成钝化层;
在所述钝化层的上方且位于所述彩色像素区域内形成彩色色阻;
在所述钝化层和所述彩色色阻的上方形成平坦化层;
减薄所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度,以使得所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度小于所述非像素区域中的所述平坦化层的厚度;
在所述平坦化层的上方形成显示电极,所述显示电极与所述漏极过孔连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在所述钝化层和所述彩色色阻的上方形成平坦化层的步骤与所述减薄所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度的步骤同步进行,形成平坦化层的步骤具体包括:
在所述钝化层和所述彩色色阻的上方形成平坦化材料薄膜,所述平坦化材料薄膜包括:全保留区域、部分保留区域和不保留区域,所述半保留区域与所述彩色像素区域对应,所述不保留区域与所述漏极所处区域对应;
采用半色调掩膜版对所述平坦化材料薄膜进行掩膜、曝光处理;
对曝光处理后的所述平坦化材料薄膜进行显影处理,剩余的平坦化材料构成所述平坦化层,所述不保留区域处形成有第一过孔,所述彩色像素区域中的所述平坦化材料部分保留以实现减薄。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述平坦化层上对应所述漏极的区域形成有第一过孔;
所述在所述薄膜晶体管的上方形成钝化层的步骤具体包括:
在所述薄膜晶体管的上方形成钝化材料薄膜;
所述在所述平坦化层的上方形成显示电极的步骤具体包括:
对所述钝化材料薄膜进行一次构图工艺,以在所述第一过孔的下方形成第二过孔,剩余的钝化材料构成所述钝化层;
在所述平坦化层的上方以及所述第一过孔、所述第二过孔内形成透明导电材料薄膜;
对所述透明导电材料薄膜进行一次构图工艺,以形成所述显示电极的图形,所述显示电极通过所述第一过孔、所述第二过孔与所述漏极连接。
4.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述平坦化层上对应所述漏极的区域形成有第一过孔;
所述在所述薄膜晶体管的上方形成钝化层的步骤具体包括:
在所述薄膜晶体管的上方形成钝化材料薄膜;
对所述钝化材料薄膜进行一次构图工艺,以形成第二过孔,所述第二过孔与所述漏极对应设置且与后序形成的所述第一过孔连通,剩余的钝化材料构成所述钝化层;
所述在所述平坦化层的上方形成显示电极的步骤具体包括:
在所述平坦化层的上方以及所述第一过孔、所述第二过孔内形成透明导电材料薄膜;
对所述透明导电材料薄膜进行一次构图工艺,以形成所述显示电极的图形,所述显示电极通过所述第一过孔、所述第二过孔与所述漏极连接。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板为OLED基板,所述显示电极为阳极,所述显示基板的制备方法还包括:
在所述平坦化层的上方形成像素界定层,所述像素界定层上形成有若干个容纳孔,所述容纳孔与所述显示电极对应设置;
在所述容纳孔内形成有机发光层;
在所述有机发光层的上方形成阴极;
在所述阴极的上方设置保护基板。
6.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板为液晶显示基板,所述显示电极为像素电极,所述显示基板的制备方法还包括:
在所述像素电极的上方形成保护层;
在所述保护层的上方形成取向层。
7.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板还划分有白色像素区域。
8.根据权利要求1-7中任一所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述非像素区域中的所述平坦化层的厚度与所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度的差为:2μm~3μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的